Neben der Ankündigung, dass die nächste Generation des HBM3E-Speichers mit hoher Bandbreite einen weltweit führenden 36-GB-Einzelchip und eine entsprechende Frequenz von 9,8 GHz erreichen kann, freut sich Samsung auch auf die Richtung einer wirklich neuen Generation von HBM4-Speicher. Im Plan von Samsung wird HBM4 zwei Entwicklungsrichtungen haben, wobei fortschrittlichere Transistorprozesse und fortschrittlichere Verpackungstechnologie zum Einsatz kommen.
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Technisch gesehen plant Samsung, auf herkömmliche Planartransistoren zu verzichten und dreidimensionale FinFET-Transistoren auf HBM zu verwenden, um so den erforderlichen Antriebsstrom zu reduzieren und die Energieeffizienz zu verbessern.
Die dreidimensionale FinFET-Transistortechnologie wurde erstmals von Intel22nm eingeführt und bildete im Laufe der Jahre die Grundlage des Halbleiterherstellungsprozesses. Als nächstes werden Intel20A, TSMC 2 nm und Samsung 3 nm auf dreidimensionale Full-Surround-Gate-Transistoren umsteigen.
Im Hinblick auf die Verpackung plant Samsung, vom Mikro-Bump-Bonding zum stoßfreien Bonden (bumplessbongding) überzugehen, um Kupferschichten direkt miteinander zu verbinden.
Tatsächlich handelt es sich auch hier um eine recht fortgeschrittene Technologie im Bereich der Logikchips, die sich noch in der Entwicklung befindet.
Offensichtlich werden diese dazu beitragen, dass HBM-Speicher weiterhin Kapazität, Frequenz und Bandbreite erweitern, aber auch die Kosten werden hoch bleiben, was für normale Benutzer kaum relevant sein dürfte und ausschließlich den HPC- und KI-Bereichen vorbehalten bleiben wird.