Nach Jahren der Forschung und Entwicklung hat UltraRAM endlich erhebliche Fortschritte in Richtung kommerzieller Produktion gemacht. Anfang des Sommers hat IQE plc, ein führender Anbieter fortschrittlicher Waferprodukte, ein einjähriges Projekt zur Entwicklung eines skalierbaren Epitaxieprozesses für diese vielversprechende Speichertechnologie abgeschlossen. CEO Jutta Meier begrüßte den Schritt als Meilenstein in Richtung industrieller Produktion.
UltraRAM wurde entwickelt, um die besten Funktionen von RAM und NAND zu kombinieren und gleichzeitig deren Nachteile zu beseitigen. Die Technologie verspricht ähnliche Geschwindigkeiten wie nichtflüchtiges DRAM, überlegene Ausdauer und höhere Energieeffizienz. Der damals getestete Prototyp bot Berichten zufolge eine Datenspeicherung von 1.000 Jahren und mehr als 10 Millionen Programmier-/Löschzyklen, 100-mal mehr als Flash-Speicher. Manche nennen es „universelles Gedächtnis“.
Die Zusammenführung von RAM und Flash-Speicher in einem einzigen Produkt ist nichts Neues. Namhafte Unternehmen wie Intel und Samsung haben in den letzten Jahren ähnliche Technologien ausprobiert, doch bisher hatten ihre Bemühungen keine großen Auswirkungen auf den Markt. Intel hat seine Optane-Plattform im Jahr 2022 aufgegeben, obwohl Samsung kürzlich seine Z-NAND-Produkte aktualisiert hat, um die Lücke zu schließen.
Im Jahr 2020 haben sich Kioxia und Western Digital zusammengetan, um einen Optane-Konkurrenten namens XL-FLASH zu entwickeln. Im Mai dieses Jahres wurde auf der Computex-Messe eine auf dieser Technologie basierende, angepasste PCIe 5.0-SSD mit einem zufälligen Lese-IOPS von bis zu 3,5 Millionen vorgestellt. Die N3X SSD von InnoGrit liefert eine anhaltende sequentielle Leseleistung von bis zu 14 GB/s und eine sequentielle Schreibleistung von bis zu 12 GB/s. Zufällige Schreib-IOPS betragen bis zu 700.000 und die Leselatenz beträgt nur 13 Mikrosekunden.
Der UltraRAM-Hersteller Quinas arbeitet derzeit mit Gießereien und strategischen Partnern zusammen, um die Pilotproduktion zu starten. Es gibt keine Garantie dafür, dass die Technologie erfolgreich sein wird – sie muss erst in die Massenproduktion gelangen – aber es ist ermutigend, dass die Hersteller die Idee, die beiden Speichertypen zu kombinieren, nicht aufgegeben haben.