Koreanischen Medienberichten zufolge treibt Samsung Semiconductor ein neues 2-Nanometer-Prozessprojekt für High-Bandwidth Memory (HBM) voran und plant die Entwicklung maßgeschneiderter HBM-Logikchips für unterschiedliche Kundenbedürfnisse. In dem Bericht wurden Brancheninsider mit den Worten zitiert, dass das HBM-Entwicklungsteam von Samsung zwar mit der Vorforschung für die nächste Produktgeneration begonnen habe, obwohl die konkrete Kundenliste noch nicht bekannt gegeben wurde, wobei Wafer-Foundry-Prozesse „auf 2 Nanometer fortgeschritten“ zum Einsatz kommen, um den Grundstein für zukünftige Generationen von HBM-Lösungen zu legen.
Es ist unklar, ob der Plan letztendlich 2-nm-Knoten wie SF2 oder SF2P in Samsungs eigenem Foundry-System verwenden wird.
Vorhandene Informationen zeigen, dass Samsungs HBM-Produktlinie der sechsten Generation (HBM4) voraussichtlich auf dem 4-Nanometer-Prozess basieren wird, von dem allgemein spekuliert wird, dass er aus dem Knoten der SF4-Familie stammt. Ein ungenannter Unternehmensinsider gab bekannt, dass Samsung Electronics unter der Leitung des im letzten Jahr neu gegründeten Custom SoC-Teams der System LSI Business Unit kundenspezifische Logikchips für HBM entwirft und ein Prozessportfolio von 4 Nanometern bis 2 Nanometern aufbaut, um auf die unterschiedlichen Bedürfnisse verschiedener Kunden einzugehen.
Branchenanalysten gehen davon aus, dass zukunftsorientierte Ultrahochleistungs-KI-Beschleuniger in hohem Maße auf HBM-Module mit modernster Leistung und Bandbreite angewiesen sein werden. Mit der tatsächlichen Implementierung von 2-Nanometer-Logikchips wird für den KI-Markt auf Unternehmensebene ein „starkes“ Nachfragewachstum erwartet, das voraussichtlich bis nach dem Produkt HBM4E der siebten Generation, also nach 2027, anhalten wird.