Apple erwägt eine Partnerschaft mit den chinesischen Halbleiterunternehmen CXMT und YMTC, um Speicher- und Speicherchips für die kommende iPhone 18-Serie und andere Produkte wie MacBooks und Desktop-Macs bereitzustellen.

Derzeit verlässt sich Apple hauptsächlich auf Speicher- und Speicherlieferanten wie Kioxia, Samsung und SK Hynix. Allerdings haben diese Hersteller angesichts des knappen Branchenangebots und starker Preissteigerungen die Preise angehoben, was Apple unter Druck setzt, die Gewinne zu drücken und gleichzeitig die offiziellen Produktpreise (UVP) beizubehalten. Um Lieferrisiken zu verteilen und den Kostendruck zu mildern, prüft Apple angeblich die Einbeziehung von Changxins DRAM und Yangtze Memorys NAND-Flash-Speicher in das Liefersystem, um die Abhängigkeit von japanischen und koreanischen Herstellern zu verringern.

Diese Entwicklung steht in engem Zusammenhang mit den jüngsten Änderungen im regulatorischen Umfeld der USA: Berichten zufolge hat das Bureau of Industry and Security (BIS) des US-Handelsministeriums kürzlich Changxin Storage und Yangtze Storage von der Liste der eingeschränkten chinesischen Unternehmen gestrichen und damit wichtige politische Hindernisse für Apple bei der Übernahme der Produkte dieser beiden Unternehmen beseitigt. Für Apple bedeutet dies, dass es die Möglichkeit hat, Speicher- und Speicherprodukte lokaler chinesischer Halbleiterhersteller flexibler in die globale Lieferkette einzuführen, ohne gegen US-Exportkontrollbestimmungen zu verstoßen.

Was den Speicher betrifft, hat Changxin Memory eine Vielzahl von Produkten in Massenproduktion hergestellt, darunter LPDDR5X und DDR5, und seine Spezifikationen stimmen in hohem Maße mit den bestehenden Produktlinien von Apple überein. Apples iPhone-Serie und Macs, die mit dem selbst entwickelten SoC der M-Serie ausgestattet sind, nutzen derzeit hauptsächlich LPDDR5X als Systemspeicher. Daher wird erwartet, dass die von Changxin bereitgestellten LPDDR5X-Chips mit 12 Gbit und 16 Gbit Kapazität den allgemeinen Kapazitätsbedarf der Mobiltelefon- und Computerproduktlinien von Apple Intelligence decken. Dies bietet Apple eine realistische und realisierbare technische Grundlage für die Einführung chinesischer DRAM-Anbieter in der nächsten Generation mobiler Geräte und PCs.

Im Hinblick auf die Speicherung wird erwartet, dass Yangtze Memory eine wichtige, inkrementelle Kraft in der Flash-Speicher-Lieferkette von Apple wird. Laut der Demontageanalyse von TechInsights hat Yangtze Memory 3D-NAND-Flash-Speicherchips der fünften Generation in Massenproduktion hergestellt, wobei die Gesamtzahl der gestapelten Schichten 294 erreicht, von denen 232 effektive Speicherschichten sind. Mit einer Bitdichte von nahezu 19,8 GB pro Quadratmillimeter nähert sich die Flächeneffizienz dieser Generation dem Niveau an, das derzeit von den weltweit führenden NAND-Herstellern erreicht wird. Dies bedeutet, dass die Chips von Yangtze Memory ohne Einbußen bei Speicherdichte und Leistung relativ reibungslos in die bestehende High-End-Terminal-Lieferkette integriert werden können, ohne dass es zu erheblichen „Herabstufungen“ der Indikatoren kommt.

Wenn Apple letztendlich sowohl das DRAM von Changxin Memory als auch das NAND von Yangtze Memory einführt, könnte die Speicher- und Speicherlandschaft des globalen Marktes für High-End-Konsumelektronik einer gewissen Umstrukturierung unterliegen. Für Apple wird dies nicht nur dazu beitragen, den aktuellen Kostendruck durch die globale Speicher- und Flash-Speicherknappheit zu mildern, sondern auch einen größeren Handlungsspielraum in Bezug auf Versorgungssicherheit, Verhandlungsspielraum und geopolitische Risikostreuung gewinnen. Für bestehende japanische, koreanische und einige amerikanische Speicherhersteller bedeutet dies, dass ihre künftige Marktbeherrschung bei High-End-Smartphones und -PCs möglicherweise einer direkteren Konkurrenz durch chinesische Hersteller ausgesetzt sein könnte.