Der chinesische Speicherchiphersteller Changxin Memory (CXMT) hat mit der Massenproduktion von 12-lagigen HBM-Speichern mit hoher Bandbreite begonnen.Die Implementierung der 12-Layer-Stacking-Technologie gibt Changxin Storage die Möglichkeit, in den Bereich der High-End-KI-Hardwareproduktion einzusteigen. Die technologische Kluft zwischen chinesischen Speicherherstellern und führenden koreanischen Unternehmen, die seit den frühen Phasen der Branchenentwicklung besteht, wird deutlich verringert.
Nur drei Jahre nachdem Changxin Storage offiziell in den professionellen HBM-Bereich eingestiegen war, gelang ihm ein entscheidender Durchbruch bei der Massenproduktion von 12-Schicht-HBM. Die Hauptschwierigkeit der HBM-Herstellung ist der schwierige vertikale Stapelprozess einschließlich der präzisen Verbindung der DRAM-Schichten. Die vollständige Beherrschung dieser Technologie durch Changxin Memory spiegelt direkt wider, dass Chinas lokales Halbleiter-Ökosystem einen fortgeschrittenen Entwicklungsstand erreicht hat.
Branchenbeobachter erklärten:Samsung Electronics und SK Hynix haben das ganze Jahr über den globalen HBM-Markt dominiert. Derzeit hat sich die Produktionskapazitätslücke zwischen Changxin Memory und den beiden koreanischen Marktführern auf weniger als drei Jahre verkürzt.
Im Hinblick auf das Layout der Massenproduktion entschied sich Changxin Storage dafür, seinen Markteinfluss durch die Skalierung der Produktionskapazität zu erweitern. Berichten zufolge hat das Unternehmen etwa 20 % seiner gesamten DRAM-Produktionskapazität in die HBM-Fertigung investiert. Nach Abschluss der Umstellung der Produktionskapazität kann die monatliche Produktionskapazität für HBM-Wafer 60.000 Wafer erreichen. Derzeit ist die Produktionsausbeute von Changxin Memory immer noch niedriger als die seiner koreanischen Konkurrenten. Sein Hauptziel in dieser Phase besteht darin, die Marktnachfrage nach inländischen KI-Produkten vollständig zu decken und gleichzeitig einen strategischen Plan für den künftigen Eintritt in den internationalen Markt zu entwickeln.
Um seine Entwicklungsdynamik aufrechtzuerhalten und seine Produktionskapazität zu erweitern, plant Changxin Storage, durch einen Börsengang 4,2 Milliarden US-Dollar einzusammeln. Die Mittel werden für den Bau neuer HBM-Produktionsanlagen und die Modernisierung bestehender DRAM-Produktionszentren verwendet.
Das Unternehmen arbeitet derzeit eng mit in- und ausländischen Ausrüstungslieferanten zusammen. Die Kernproduktionsinfrastruktur soll voraussichtlich im Jahr 2026 fertiggestellt sein. Die Mittel werden auch dazu beitragen, die Verbindungstechnologie und die Wärmemanagementsysteme weiter zu optimieren.
Die Einführung der 12-Schicht-HBM-Produkte von Changxin Storage hat zu einem zunehmenden Wettbewerbsdruck auf Marktführer wie Samsung und SK Hynix geführt. Letzteres muss die Weiterentwicklung fortschrittlicherer Fertigungstechnologien beschleunigen, um seine Branchenführerschaft zu behaupten.
Branchenexperten gehen davon aus, dass sich die nächste Wettbewerbsstufe in der globalen Speicherindustrie auf die Entwicklung und Implementierung von 16-Lagen-Stapel- und Hybrid-Bonding-Technologien konzentrieren wird.
