SK hynix gab bekannt, dass es Muster seiner HBM4E-Videospeicherprodukte der neuen Generation mit hoher Bandbreite an Großkunden verschickt hat, mit einer Einzelspeicherkapazität von bis zu 48 GB und einer Datenübertragungsrate von bis zu 16 Gbit/s, die darauf ausgelegt sind, die schnell wachsende Marktnachfrage nach Chips für künstliche Intelligenz zu decken.
Angetrieben durch generative KI und große Modelle ist die Nachfrage nach Speicher mit hoher Bandbreite in globalen Rechenzentren dramatisch gestiegen, was DRAM-Hersteller dazu zwingt, die Entwicklung von Produkten der neuen Generation zu beschleunigen. SK hynix konkurriert mit dem Konkurrenten Samsung hinsichtlich der Musterlieferzeit für HBM4E und hofft, als Erster seinen Partnern Lösungen für die KI-Rechenzentrumsplattform der nächsten Generation anbieten zu können. Berichten zufolge werden diese HBM4Es hauptsächlich auf High-End-KI-Beschleunigungsplattformen wie NVIDIA Rubin Ultra und AMD Instinct MI500 abzielen, die als wichtige Umsatzmotoren für den zukünftigen KI-Servermarkt gelten.
Berichten zufolge hat SK hynix dieses Jahr auf der Computex 2026 eine Vorschau auf diese Generation von HBM4E gezeigt und dabei wichtige Spezifikationen wie bis zu 48 GB, 12-lagige gestapelte Verpackung und eine maximale Single-Pin-Rate von 16 Gbit/s gezeigt. Im Vergleich zur vorherigen Produktgeneration hat HBM4E die Leistung und Energieeffizienz erheblich verbessert und zielt darauf ab, den Engpass bei der Speicherbandbreite beim KI-Training und bei der Inferenz weiter zu verringern. Gleichzeitig stellte Samsung während der Ausstellung auch seine HBM4E- und nachfolgenden HBM5-Technologierouten vor und schlug vor, die Stabilität von Displays mit hoher Bandbreite in Szenarien mit extrem hohem Stromverbrauch durch neue Wärmeableitungspfaddesigns wie HPB (Heat Path Block) zu verbessern.
Gemäß den im Artikel angegebenen Vergleichsdaten verwendet HBM4E auf der 48-GB-Kapazitätsebene eine 12-Hi-Stapelstruktur, während die Spitzenspezifikation von HBM4 16-Hi entspricht und HBM3E 12-Hi beträgt. Die neue Produktgeneration hat sich sowohl hinsichtlich der Stapeldichte als auch der Effizienz verbessert: Bei der 48-GB-12-Hi-Lösung wurde die Stapeldichte eines einzelnen Chips um etwa das 1,5-fache erhöht und auch die Bandbreiteneffizienz wurde deutlich verbessert. Die Tabelle zeigt, dass HBM4E eine höhere Pro-Pin-Bandbreite und Gesamtbandbreitenziele erreicht und gleichzeitig eine Betriebsspannung von 1,2 V beibehält, um den Anforderungen höherer KI-Arbeitslasten gerecht zu werden.
SK hynix sagte in einer Pressemitteilung, dass es wie geplant 12-schichtige gestapelte HBM4E-Muster an Schlüsselkunden geliefert habe und dabei von seiner Erfahrung in der Entwicklung und Massenproduktion von Speicher mit hoher Bandbreite profitiert habe. Das Unternehmen betonte, dass es eng mit Partnern zusammenarbeiten werde, um die Massenproduktion von HBM4E zum richtigen Zeitpunkt sicherzustellen, um mit der Geschwindigkeit der Upgrades der KI-Infrastruktur Schritt zu halten. Nach offiziellen Angaben kann diese Produktgeneration eine Datenverarbeitungsgeschwindigkeit von 16 Gbit/s pro Pin erreichen, und die Gesamteffizienz des Stromverbrauchs ist mehr als 20 % höher als bei der vorherigen Generation, was dazu beiträgt, die effektive Rechenleistung pro Einheit Stromverbrauch während des KI-Trainings und der Inferenz zu verbessern.
Im Hinblick auf Schnittstellen- und Schaltungsdesign reduziert HBM4E Verzögerungen bei der Datenübertragung durch Schnittstellenspezifikationen der neuesten Generation und eine optimierte interne Architektur und gewährleistet gleichzeitig einen stabilen Betrieb in Umgebungen mit extrem hoher Bandbreite. Für Cloud-KI-Rechenzentren und große Hochleistungsrechnersysteme bedeutet dies, dass der Einsatz von KI-Beschleunigerkarten mit höherer Dichte und höherer Geschwindigkeit unter den gleichen Schrank- und Kühlbedingungen durchgeführt werden kann, wodurch die gesamte Rechenleistungsdichte erhöht wird.
Im Hinblick auf die Verpackungstechnologie führte SK hynix die Advanced MR-MUF-Technologie für HBM4E ein, die es ihm ermöglicht, eine Kapazität von 48 GB in einer 12-schichtigen Stapelstruktur zu erreichen und gleichzeitig die Stabilität der Verpackungsstruktur zu berücksichtigen. Laut der offiziellen Einführung weist HBM4E im Vergleich zur Vorgängergeneration HBM4 eine um etwa 17 % verbesserte Hitzebeständigkeit auf, was für KI-Knoten, die weiterhin unter hoher Last arbeiten, von entscheidender Bedeutung ist und dazu beiträgt, die langfristige Zuverlässigkeit von Grafikspeicherchips in Umgebungen mit höheren Temperaturen aufrechtzuerhalten. In Kombination mit einer höheren thermischen Toleranz und einem kompakteren Stapeldesign ist das neue Produkt besser für den aktuellen Trend eines immer dichteren KI-Serversystemdesigns geeignet.
SK hynix verfügt bereits über umfassende Erfahrungen in der Massenproduktion und -lieferung von HBM3, HBM3E und HBM4 und bietet maßgeschneiderte und optimierte Speicherlösungen mit hoher Bandbreite für eine Reihe von Cloud-Dienstanbietern und GPU-Herstellern an. Das Unternehmen gab an, dass es auf dieser Grundlage weiterhin den Aufbau einer KI-Infrastruktur der nächsten Generation durch HBM4E unterstützen und mit Industriekettenpartnern zusammenarbeiten wird, um das häufige Problem der Speicherbandbreitenengpässe in KI-Systemen zu lindern. Im Kontext des sich verschärfenden globalen „Wettrüstens um die Rechenleistung der generativen KI“ gilt HBM4E als eine der Schlüsseltechnologien für den Wettbewerb von KI-spezifischen Chips und Rechenzentrumsplattformen in den nächsten Jahren.