Zusammenfassung:
MemSilicon gab den Abschluss des Tape-Outs des RRAM-Chips „MountTai 2026“ mit hoher Dichte und großer Kapazität der ersten Generation bekannt, der auf der 1TnR-Technologieroute basiert.
Es wird berichtet, dass „Taishan No. 1“ ein Meilenstein in der Weiterentwicklung der neuen 1TnR-Speicherchiptechnologie mit hoher Dichte und großer Kapazität durch MemSilicon von der frühen Forschung bis zur Kommerzialisierung von Chips auf Gb-Ebene ist. Dieser technische Weg erhöht die Speicherkapazität pro Flächeneinheit durch die gemeinsame Nutzung ausgewählter Transistoren mit mehreren Widerstandsschaltspeicherzellen und verwendet eine Back-End-Integrationsmethode, die vollständig mit der CMOS-Plattform kompatibel ist, um sowohl Dichte als auch Kapazität und Kosten zu erreichen.
Der Chip nutzt eine 28-nm-CMOS-Prozessplattform und eine 1T4R-Einheitsstruktur mit einer Einzelchipkapazität von 1 GB, einer Dichte von 30 MB/mm², einer Zugriffsverzögerung von weniger als 20 ns und einer integrierten On-Chip-Hardware-Fehlerkorrekturschaltung. Es schafft einen kollaborativen Durchbruch zwischen großer Kapazität, hoher Dichte und schnellem Lesen und bietet eine international wettbewerbsfähige Lösung für neue nichtflüchtige On-Chip-Speicheranwendungen mit hoher Dichte und großer Kapazität.
Derzeit hat „Taishan No. 1“ das Tape-Out abgeschlossen und treibt die Überprüfung voran.
„Taishan No. 1“ verwendet eine 1T4R-Struktur, d. h. ein Auswahltransistor entspricht vier Widerstandsschaltspeicherzellen. Die gemeinsame Nutzung von Transistoren bedeutet jedoch nicht, dass sich die Dichte und Leistung der Anzahl der Speicherzellen proportional erhöht. Nicht zielgerichtete Strompfade zwischen mehreren Speicherzellen, Lese- und Schreibstörungen sowie Zuverlässigkeit unter unterschiedlichen Betriebsbedingungen erfordern eine gemeinsame Optimierung von Geräten, Prozessen und Schaltungsdesigns.
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