Zusammenfassung:
Der dritte Quartalsbericht von Changxin Technology für 2026 wurde veröffentlicht. Im dritten Quartal (Juli-September) belief sich das Betriebsergebnis auf etwa 118,714 Milliarden Yuan, was einem Anstieg von etwa 19,30 % gegenüber dem Vormonat entspricht; Der Nettogewinn belief sich auf etwa 88,983 Milliarden Yuan, was einem Anstieg von etwa 19,38 % gegenüber dem Vormonat entspricht. Gleichzeitig wurden im Bericht zum dritten Quartal die neuesten technologischen Fortschritte bekannt gegeben: DRAM-Produkte, die auf der Technologieplattform der sechsten Generation entwickelt wurden, haben die technische Musterprüfung abgeschlossen.
In jüngster Zeit hat Changxin Technology häufige Schritte im Kerntechnologiebereich unternommen: von der weltweit ersten Massenproduktion von LPDDR6 im August über die Massenproduktion der Technologieplattform der fünften Generation (G5) im September bis hin zur jüngsten Ankündigung wichtiger Fortschritte in der 4F²-Architektur. Hinter dem technologischen Fortschritt wichtiger Produkte stehen die hochintensiven F&E-Investitionen des Unternehmens: Die F&E-Investitionen erreichten in den ersten drei Quartalen 2026 11,071 Milliarden Yuan, ein Anstieg von 73,03 % gegenüber dem gleichen Zeitraum des Vorjahres.
Laut dem Bericht für das dritte Quartal haben die von Changxin Technology auf Basis der Technologieplattform der sechsten Generation entwickelten DRAM-Produkte die technische Musterprüfung abgeschlossen, was bedeutet, dass das Produkt kurz vor der Massenproduktion steht: Der Abschluss der technischen Musterprüfung bedeutet, dass das Unternehmen die interne technische Prüfung und die frühe Kundenbewertung abgeschlossen hat. Im nächsten Schritt kann das Produkt nach Abschluss der Kundenverifizierung bei wichtigen Kunden in die Massenproduktions- und Versandphase eintreten.
Vor dem Hintergrund der explosionsartigen Nachfrage nach endseitiger KI-Rechenleistung erzielt Changxin weiterhin Durchbrüche auf der Produktseite. Ende August gab Changxin bekannt, dass die neueste Generation des Low-Power-Speichers LPDDR6 die weltweite Massenproduktion erreicht hat und in die erste Charge der Mainstream-Smartphone-Flaggschiffmodelle eingebaut wurde. Der Chip verfügt über eine Spitzenrate von 12800 Mbit/s, eine 60 % höhere Bandbreite im Vergleich zum Produkt LPDDR5X der vorherigen Generation und eine 20 %ige Reduzierung des Stromverbrauchs, wodurch wichtige Speicherunterstützung für endseitige KI-Szenarien bereitgestellt wird.
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