Berichten zufolgeSamsung plant die Neueinführung seiner Z-NAND-Speichertechnologie mit einer angestrebten Leistungsverbesserung um das bis zu 15-fache im Vergleich zu herkömmlichem NAND-Flash-Speicher bei gleichzeitiger Reduzierung des Stromverbrauchs um 80 %.Darüber hinaus hat Samsung auch eine neue Technologie namens „GPU-Initiated Direct Storage Access (GIDS)“ entwickelt, die es der GPU ermöglicht, direkt auf Z-NAND-Speichergeräte zuzugreifen, ähnlich der DirectStorage API von Microsoft.
Die Z-NAND-Technologie von Samsung wurde ursprünglich Mitte der 2010er Jahre mit dem Ziel eingeführt, mit der 3D-XPoint-Optane-Speichertechnologie von Intel zu konkurrieren. Beide führen eine neue Art von Solid-State-Speicher ein, dessen Leistung nahe an DRAM liegt und deren Systemlatenz weitaus geringer ist als bei herkömmlichen SSDs.
Im Gegensatz zu Intels 3D XPoint Optane ist Samsungs Z-NAND der ersten Generation im Wesentlichen eine beschleunigte Version der NAND-SLC-SSD.
Es basiert auf einem verbesserten V-NAND-Design, verfügt über eine 48-Schichten-Struktur und arbeitet im Single-Layer-Cell-Modus (SLC). Die wichtigste Verbesserung besteht darin, die Seitengröße auf 2 bis 4 KB zu reduzieren und so schnellere Lese- und Schreibgeschwindigkeiten für Daten sowie eine geringere Systemlatenz zu erreichen.
Damals waren Laufwerke auf Basis von Intel Optane und Samsung Z-NAND sechs- bis zehnmal schneller als herkömmliche SSDs, und wenn Samsungs Z-NAND der nächsten Generation die Erwartungen erfüllt, könnte es eine bis zu 15-mal bessere Leistung als aktuelle NVMe-SSDs erbringen.
