Die globale Speicherindustrie befindet sich in einem historischen Aufwärtszyklus, der durch KI vorangetrieben wird, und die heimische DRAM-Industrie hat ein entscheidendes Entwicklungsfenster eingeläutet. Da das führende inländische Speicherchip-Unternehmen Changxin Memory (CXMT) erhebliche Durchbrüche in der DDR5-Technologie erzielt hat, beschleunigen chinesische Speichermodulhersteller die Einführung nachgelagerter Produkte und fördern inländisches DDR5 von der Technologieverifizierungsphase an, um in großem Umfang in die kommerziellen Märkte für Verbraucher und Unternehmen einzutreten.

Powev, ein großer inländischer Hersteller von Speichermodulen, gab kürzlich bekannt, dass sein DDR5-Serverspeicher der Marke SINKER offiziell in die Massenproduktions- und Auslieferungsphase eingetreten ist. Sein DDR5 64GB 5600MT/s RDIMM-Serverspeicher hat die strengen Tests vieler großer Hersteller bestanden und ist offiziell in die Massenproduktion gegangen. Derzeit ist die gesamte Produktionslinie angeschlossen, die Materialversorgung ist stabil, die Produktionskapazität ist voll und die Ausbeute hat Massenproduktionsstandards erreicht, die den Anforderungen großer Kunden an Chargenlagerung und Projektabwicklung gerecht werden können.

Andere inländische Hersteller wie COMAY haben ebenfalls DDR5-Produkte auf Basis von Changxin-Partikeln für Industrie- und Unternehmensanwendungen herausgebracht.

Auf dem Verbrauchermarkt werden inländische DDR5-Speicher unter den Marken Gloway und KingBank von Jiahe Jinwei bereits Ende 2024 auf den Markt kommen und damit die ersten ikonischen Produkte von inländischem DDR5 sein, die in kommerzielle Vertriebskanäle gelangen.

Die intensive Einführung nachgelagerter Produkte ist auf die zentralen technologischen Durchbrüche des vorgelagerten Changxin Storage zurückzuführen. Changxin Memory stellte im November letzten Jahres auf der Ausstellung IC China 2025 offiziell DDR5-Speicherprodukte mit einer Geschwindigkeit von 8000 MT/s vor, die zwei Einzelkapazitäten von 16 GB und 24 GB bieten und Anwendungsszenarien wie Server, Workstations und Personalcomputer vollständig abdecken.

Obwohl die 24-Gb-Kapazität immer noch eine Generation hinter den 32-GbDDR5-Chips internationaler Giganten wie Samsung, SK Hynix und Micron zurückliegt, ist dies ein wichtiger Meilenstein in der Entwicklungsgeschichte der chinesischen DRAM-Industrie.

Changxin Memory wurde 2016 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Hefei, Anhui. Es ist derzeit das einzige Unternehmen in China, das die Massenproduktion von DRAM-Chips in großem Maßstab geschafft hat. Die Produktpalette umfasst Server- und Desktop-DDR-Speicher sowie LPDDR-Low-Power-Speicher für Smartphones, Tablets und tragbare Geräte. Letzteres ist erfolgreich in die Lieferkette etablierter inländischer Elektronikhersteller wie Xiaomi, OPPO, vivo, Transsion und Lenovo eingestiegen.

Allerdings ist der globale DRAM-Markt immer noch stark konzentriert. TrendForce-Daten zeigen, dass Samsung, SK Hynix und Micron im vierten Quartal 2024 91,5 % der weltweiten Lieferungen mit einem Anteil von 32,6 %, 33,2 % bzw. 25,7 % ausmachten.

Trotz des Monopolmusters internationaler Giganten genießt die heimische Speicherindustrie immer noch zahlreiche Vorteile. Die US-Regierung hat kürzlich die Beschränkungen für Changxin-Speicher und Yangtze-Speicher gelockert und damit einige Hindernisse für den Eintritt inländischer Speicher in Mainstream-Märkte wie Europa und den Vereinigten Staaten beseitigt. Gleichzeitig hat der schrittweise Rückzug von Samsung aus dem Markt des alten LPDDR-Standards auch wertvollen Wachstumsraum für inländische Hersteller in den Bereichen Einsteiger-Smartphones und PCs geschaffen.

Der aktuelle weltweite Marktanteil von Changxin Memory beträgt etwa 10 %. Da die Produktionskapazität weiter ausgebaut wird, wird erwartet, dass das Unternehmen seine Marktposition in Zukunft weiter ausbauen wird.