SanDisk gab heute offiziell bekannt, dass es mit der Auslieferung von Testmustern seines 3D-NAND-Flash-Speichertechnologieprodukts der 10. Generation – des BiCS10 1 TB (Terabit, 128 GB) TLC-Flash-Speicherchips – an Kunden begonnen hat. Dieser neue Chip hat einen qualitativen Sprung in der Speicherdichte, Übertragungsgeschwindigkeit und Stromverbrauchseffizienz erzielt und zielt darauf ab, den dringenden Bedarf moderner Computer an groß angelegter, hocheffizienter Speicherung vollständig zu erfüllen.
Den von SanDisk offiziell veröffentlichten technischen Details zufolge hat der BiCS10-Chip erfolgreich eine branchenführende TLC-Speicherdichte von mehr als 29 Gb/mm² erreicht, indem er die Anzahl der Flash-Speicher-Stapelschichten deutlich auf 332 Schichten erhöht und diese mit fortschrittlicher lateraler Skalierungstechnologie kombiniert hat. Im Vergleich zum derzeit in Massenproduktion befindlichen 3D-Flash-Speicher der 8. Generation (BiCS8) als Hauptantrieb auf dem Markt wurde die Bitdichte des neuen BiCS10 um 59 % erhöht. Was die Leistung angeht, ist die Schnittstellenübertragungsrate von BiCS10 dank der umfassenden Einführung des Toggle DDR 6.0-Schnittstellenbusses, des SCA-Protokolls und der PI-LTT-Technologie auf erstaunliche 4,8 Gbit/s gestiegen, was einem Leistungssprung von 33 % im Vergleich zur Vorgängergeneration entspricht.
Zusätzlich zu den zwei Durchbrüchen in Leistung und Dichte ist auch die Leistung von BiCS10 in puncto Energieeffizienz herausragend. Der Chip nutzt weiterhin die markterprobte CBA-Architekturtechnologie (CMOS Direct Bonded to Array, CMOS Direct Bonded to Wafer Array) von SanDisk. Dieser hochmoderne Prozess maximiert die elektrische Leistung, indem er CMOS-Logikschaltungen und Flash-Speicher-Arrays auf separaten Wafern herstellt und diese dann mithilfe einer hochpräzisen Wafer-Ausrichtungstechnologie miteinander verbindet. Mit der Unterstützung dieser Technologie wurde die Dateneingangs- und -ausgangsenergieeffizienz des BiCS10 TLC-Chips deutlich optimiert. Im Vergleich zur BiCS8-Generation wurde der Eingangsstromverbrauch um 10 % reduziert und der Ausgangsstromverbrauch deutlich um 34 % gesenkt. Dies ist von entscheidender Bedeutung für moderne Rechenzentren und Infrastrukturen auf Unternehmensebene, die darauf bedacht sind, die Betriebskosten und den Wärmeableitungsdruck zu senken.
Alper Ilkbahar, Chief Technology Officer von SanDisk, sagte den Branchenmedien auf der Pressekonferenz, dass die NAND-Flash-Speichertechnologie angesichts der zunehmenden Vernetzung, der hohen Datenintensität und der zunehmenden Intelligenz der heutigen Welt eine immer wichtigere Eckpfeilerrolle bei der Unterstützung des Umfangs moderner Rechenleistung spiele. Er betonte, dass das frühere BiCS8 einen neuen Maßstab für die Branche gesetzt habe, indem es Wafer-Bonding-Fähigkeiten mit tatsächlichen Zuwächsen bei Dichte und Energieeffizienz kombiniert habe; und der heutige BiCS10 TLC baut auf dieser soliden Grundlage auf, um Kunden weiterhin schnellere Schnittstellenraten, höhere Bitdichte und bessere Stromverbrauchsleistung zu bieten, was die Innovationskraft von SanDisk auf der langfristigen Technologie-Roadmap für 3D-Flash-Speicher deutlich zeigt.