Während Europa weiterhin die Autonomie der Halbleiterfertigung fördert, kamen nur eine Woche nach der Verabschiedung des Chips Act 2.0 durch die Europäische Kommission wichtige Neuigkeiten aus der Halbleiterbranche: NexiGO, ein Startup-Unternehmen mit Hauptsitz in Berlin, Deutschland, hat eine Seed-Finanzierungsrunde über 2 Millionen Euro erfolgreich abgeschlossen. Ziel dieser Finanzierung ist es, grundlegende technische Unterstützung für die neue Generation von Elektrofahrzeugen bereitzustellen und die Transformation der europäischen Energieelektronikindustrie durch die Forschung und Entwicklung von Galliumoxid-Leistungshalbleitern (Ga₂O₃) zu beschleunigen.

Im Rahmen der aktuellen Energiewende ist die Ladeeffizienz zu einem Engpass geworden, der die Entwicklung von Elektrofahrzeugen behindert. NexiGO setzt sich dafür ein, dieses Problem durch die Galliumoxid-Technologie zu überwinden. Ziel ist es, die Ladezeit von Elektrofahrzeugen von derzeit durchschnittlich 60 Minuten, die derzeit für die Siliziumkarbid- (SiC) oder Galliumnitrid- (GaN) Technologie erforderlich sind, auf weniger als 10 Minuten zu verkürzen.
Es wird davon ausgegangen, dass NexiGO 4-Zoll-Epitaxiewafer zur Herstellung von Galliumoxid-Halbleitern verwenden wird. Obwohl diese Größe nur ein Drittel der Größe der 12-Zoll-Wafer beträgt, die in herkömmlichen Logik- und Speicherchips verwendet werden, geht das Unternehmen davon aus, dass diese Größe ausreicht, um den Bedarf der lokalen Stromübertragung in Europa zu decken. In der Energieinfrastruktur erfordern Geräte wie Ladestationen Halbleiter mit extrem großer Bandlücke, die große Stromstöße bewältigen und gleichzeitig extrem niedrige Verluste aufrechterhalten können. Galliumoxid hat eine Bandlücke von etwa 4,8 Elektronenvolt (eV), was ihm erhebliche Vorteile im Umgang mit hohen Spannungen verschafft und Verluste bei der Energieübertragung wirksam reduzieren kann.
Im Vergleich zum derzeit gängigen Siliziumkarbidmaterial hat die Galliumoxidlösung einen qualitativen Leistungssprung erzielt: Ihre Energieeffizienz hat sich um das Zehnfache erhöht, ihre Spannungsdichtefestigkeit hat sich um das Sechsfache erhöht und ihre Produktionskosten betragen nur ein Viertel der ersteren. Neben Ladesäulen für Elektrofahrzeuge hat NexiGO auch leistungsstarke Anwendungsszenarien wie Wechselrichter für erneuerbare Energien, KI-Rechenzentren und Raketenverfolgungssysteme im Visier. Als einer der ersten Leistungshalbleiterhersteller, der auf die Notwendigkeit der EU zum Aufbau einer unabhängigen Technologieinfrastruktur reagierte, hat die Finanzierung, die NexiGO dieses Mal erhielt, zweifellos wichtige Impulse für die anschließende Technologieforschung, -entwicklung und -industrialisierung gegeben.