Zusammenfassung:
Changxin Technology erklärte in der Leistungsaustauschbesprechung im dritten Quartal, dass die Prozesstechnologieplattform der sechsten Generation auf der Grundlage des entscheidenden Durchbruchs der 4F²-Vertikalkanal-DRAM-Architektur die Verifizierung technischer Muster abgeschlossen hat. Dies ist das erste Mal, dass Changxin bekannt gibt, dass die Prozesstechnologieplattform der sechsten Generation auf der 4F²-Architektur basiert.
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Gemäß der Branchenpraxis bedeutet der Abschluss der technischen Musterverifizierung, dass die Kernleistungsindikatoren der Plattform die Designerwartungen für echte Wafer erreicht haben und sie in die Massenproduktionsphase übergehen kann, nachdem der Kunde die Verifizierung abgeschlossen hat. Changxin erklärte zuvor in einer öffentlichen Rede, dass man voraussichtlich bis Ende des Jahres eine neue Generation von DDR5-RDIMM-Produkten mit integrierter 4F²-Technologie für den Serverbereich auf den Markt bringen wird, einen der am schwierigsten anzuwendenden Bereiche.
In Bezug auf öffentlich bekannt gegebene Fortschritte ist Changxin weltweit führend bei der Förderung der 4F²-Technik: Samsung und SK Hynix haben beide 4F² als Schlüsselrichtung unterhalb der 10-nm-Ebene aufgeführt, und Changxin hat die Führung bei der Verifizierung technischer Muster übernommen; Wenn die weiteren Fortschritte reibungslos verlaufen, wird Changxin voraussichtlich das erste Unternehmen weltweit sein, das 4F² implementiert.
4F² gilt als Schlüssel zur Überwindung des Schrumpfungsengpasses von DRAM-Zellen und zur Entwicklung hin zu 3D-DRAM. Die Entwicklung der DRAM-Technologie drehte sich immer um Dichteverbesserungen – die Integration von mehr Einheiten auf einem Wafer gleicher Größe, um die Kosten pro Bit zu verteilen. Doch nach Erreichen des 10-nm-Niveaus ist das ursprüngliche 6F² nicht mehr haltbar und nähert sich der physikalischen Grenze. In der IEEE International Devices and Systems Roadmap (IRDS) heißt es eindeutig: „Der Übergang von 6F²- zu 4F²-Einheiten ist der vielversprechendste Weg zur Aufrechterhaltung der Kostentrends, wenn die Half-Pitch-Skalierung immer schwieriger wird.“
Die 4F²-Einheitsfläche beträgt 2F×2F (F ist die minimale Linienbreite oder der minimale Linienabstand, der mit der Fotolithografie-Technologie erreichbar ist), was etwa zwei Drittel der üblichen 6F²-Einheit ausmacht. Es ist zu einer häufigen Wahl großer Speicherhersteller auf der ganzen Welt geworden. SK Hynix hat die 4F² Vertical Gate (VG)-Plattform und 3D DRAM als zwei wichtige technische Säulen aufgeführt. Samsung hat auf der ISSCC 2026 ein 10-nm-4F²-Papier veröffentlicht, und sein CTO hat im Oktober dieses Jahres öffentlich bestätigt, dass es sich ebenfalls um die Entwicklung handelt; Die Industrie betrachtet 4F² auch als notwendige Stufe für 3D-DRAM.
Der Kern der 4F²-Architektur von Changxin ist der selbst entwickelte VSG-Transistor (Vertical Surrounding Gate). Seine vertikale umgebende Kanalstruktur verfügt über eine stärkere Gate-Kontrolle, wodurch Kurzkanaleffekte und Leckagen gemindert werden können. Auf architektonischer Ebene entkoppelt diese Lösung die Herstellungsprozesse von DRAM und CMOS und realisiert dann eine Hochgeschwindigkeitsverbindung durch Hybrid-Bonding auf Waferebene, sodass Logikleistung, Speicherdichte und Zuverlässigkeit separat optimiert werden können.
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