Micron Technology gab am Montag bekannt, dass es mit der Massenproduktion seines HBM3E-Speichers begonnen hat. Der bekannt gute Stack-Die (KGSD) HBM3E des Unternehmens wird in der H200-Rechen-GPU von NVIDIA für Anwendungen im Bereich der künstlichen Intelligenz (KI) und des Hochleistungsrechnens (HPC) eingesetzt, die im zweiten Quartal 2024 ausgeliefert wird.
Micron hat bekannt gegeben, dass es 8-HiHBM3E-Geräte mit 24 GB in Massenproduktion herstellt, jedes mit einer Datenübertragungsrate von 9,2 GT/s und einer Spitzenspeicherbandbreite von über 1,2 TB/s. Im Vergleich zu HBM3 erhöht HBM3E die Datenübertragungsrate und die maximale Speicherbandbreite um 44 %, was besonders für bandbreitenhungrige Prozessoren wie den H200 von NVIDIA wichtig ist.
Das H200-Produkt von NVIDIA nutzt die Hopper-Architektur und verfügt über die gleiche Rechenleistung wie das H100. Gleichzeitig ist es mit 141 GBHBM3E-Speicher mit einer Bandbreite von 4,8 TB/s ausgestattet, was deutlich besser ist als die 80 GBHBM3 und 3,35 TB/s Bandbreite des H100.
Micron nutzt seine 1β (1-beta)-Prozesstechnologie zur Herstellung seines HBM3E, eine bedeutende Errungenschaft für das Unternehmen, da es seinen neuesten Produktionsknoten Produkten der Rechenzentrumsklasse widmet, die die Fertigungstechnologie auf die Probe stellen. Mit der bevorstehenden Veröffentlichung von 36-GB-12-HiHBM3E-Produkten von Micron im März 2024 wurde die Roadmap des Unternehmens für Speicher mit künstlicher Intelligenz weiter konsolidiert. Gleichzeitig bleibt abzuwarten, wo diese Geräte als nächstes eingesetzt werden.
Der Start der Massenproduktion von HBM3E-Speichern vor den Konkurrenten SKHynix und Samsung ist ein großer Erfolg für Micron, das derzeit 10 % des Marktanteils im HBM-Bereich hält. Der Schritt ist für das Unternehmen von entscheidender Bedeutung, da er es Micron ermöglicht, High-End-Produkte früher als die Konkurrenz auf den Markt zu bringen und so möglicherweise Umsatz und Margen zu steigern und gleichzeitig größere Marktanteile zu gewinnen.
Sumit Sadana, Executive Vice President und Chief Business Officer von Micron Technology, sagte: „Micron hat bei diesem Meilenstein mit HBM3E gleich drei Erfolge erzielt: schnelle Markteinführung, erstklassige Branchenleistung und differenzierte Energieeffizienzfunktionen. Künstliche Intelligenz-Workloads hängen stark von der Speicherbandbreite und -kapazität ab, und Micron ist sehr gut positioniert, um das erhebliche Wachstum der künstlichen Intelligenz in der Zukunft durch unsere branchenführende HBM3E- und HBM4-Roadmap sowie unser gesamtes Portfolio zu unterstützen.“ DRAM- und NAND-Lösungen für Anwendungen der künstlichen Intelligenz.“