Im Bereich Chip-Foundry dominiert TSMC mit seiner führenden Technologie und seinen fortschrittlichen Verpackungsprozessen seit langem den Markt. Allerdings demonstriert Samsung ein starkes Wettbewerbspotenzial, indem es umfassende Lösungen anbietet, die über die einzelne 2-nm-Foundry-Dimension hinausgehen. Den neuesten Nachrichten zufolge haben Samsung und Broadcom eine Absichtserklärung unterzeichnet, um in den nächsten fünf Jahren intensiv zusammenzuarbeiten, um gemeinsam die nächste Generation der Infrastruktur für künstliche Intelligenz aufzubauen. Der Gesamtwert der Vereinbarung beläuft sich auf bis zu 200 Milliarden US-Dollar.
Laut Kooperationsvereinbarung liegt der Schwerpunkt der Zusammenarbeit zwischen den beiden Parteien auf der 2-nm-Gate-Allround-Prozesstechnologie (GAA) von Samsung und dem HBM4-Speicher der nächsten Generation mit hoher Bandbreite. Broadcom wird den HBM4-Speicher von Samsung und die spätere verbesserte Version des HBM4E-Speichers in seinem KI-Beschleuniger verwenden und den 2-nm-Knoten von Samsung zur Herstellung von Kernprodukten nutzen, darunter Chips für die Hochgeschwindigkeits-Datenkommunikation. Neben der Bereitstellung grundlegender Produktionskapazitäten wird Samsung Broadcom auch ausführliche Beratung zum gesamten Prozess von der Chip-Designphase über die physische Optimierung und Verpackung bis hin zur Massenproduktion bieten, um den Chip-Design- und Entwicklungszyklus erheblich zu verkürzen. Das ist auch der zentrale Mehrwert dieser großen Kooperation.
Die Analyse wies darauf hin, dass TSMC zwar schnelle Fortschritte beim 2-nm-Knoten macht, aber als reines Wafer-Foundry-Unternehmen selbst keinen Speicher herstellt. Wenn Kunden eine enge Zusammenarbeit zwischen Chips und Speicher erreichen möchten, müssen sie mit externen Speicherlieferanten zusammenarbeiten, was zusätzliche Reibungsverluste und Risiken beim Lieferkettenmanagement und der Technologieintegration mit sich bringt. Im Gegensatz dazu verfügt Samsung sowohl über fortschrittliche Wafer-Foundation- als auch High-End-DRAM-Produktionskapazitäten und kann gemeinsam den 2-nm-Prozess und die 1c-DRAM-Technologie optimieren, um das physische Design, die Effizienz der Stromversorgung und die Wärmeableitungsleistung des Chips deutlich zu verbessern.
Dieses „One-Stop“-Integrationsmodell reduziert nicht nur effektiv Engpässe in der Lieferkette, sondern verkürzt auch den Produktlieferzyklus erheblich. Mit der Umsetzung dieser Schwergewichtsvereinbarung hat Samsung aufgrund seiner einzigartigen Integrationsvorteile ein neues Schlachtfeld im Wettbewerb mit TSMC eröffnet und eine solide Grundlage für den weiteren Ausbau seines Marktanteils in der Zukunft gelegt.