Da die Nachfrage nach High-Bandwidth-Speichern (HBM) aus künstlicher Intelligenz weiter steigt, verlagern große Speicherhersteller einen großen Teil ihrer DRAM-Wafer-Produktionskapazität auf die HBM-Produktion. Dieser Trend hat schwerwiegende Auswirkungen auf die Lieferkette traditioneller Standard-DRAM. Zhang Jiaxuan, CEO von Apacer, einem großen taiwanesischen Speichermodulhersteller, gab kürzlich eine Warnung heraus und wies darauf hin, dass das weltweite Angebot an traditionellem Standard-DRAM im Jahr 2027 deutlich um bis zu 70 % zurückgehen könnte.
Diese pessimistische Prognose verdeutlicht nicht nur die großen Herausforderungen in der Speicherbranche, sondern spiegelt auch die Prognose von Guo Luzheng, CEO des Speichergiganten SK hynix, wider, dass „2027 das schwierigste Jahr für die Versorgung in der Branche sein wird.“
Branchenanalysedaten zeigen, dass die weltweite Speicherwafer-Produktionskapazität zwischen 2027 und 2028 zwar voraussichtlich eine jährliche Wachstumsrate von etwa 12 % beibehalten wird, fast die Hälfte der neuen Kapazität jedoch von dem hochprofitablen HBM verschlungen wird. Am Beispiel der beiden Branchenriesen plant Samsung, die HBM-Lieferungen von 12 Milliarden GB im Jahr 2026 auf 20 Milliarden GB im Jahr 2027 zu steigern; SK Hynix plant außerdem, das HBM-Angebot im Jahr 2027 auf 24 Milliarden GB auszuweiten. In diesem Kampf um Wafer wird die Bit-Wachstumsrate von Nicht-HBM-Standard-DRAM zwischen 2027 und 2028 auf nur 15 % gedrückt, was weit unter der im gleichen Zeitraum erwarteten Wachstumsrate der Marktnachfrage von 22 % liegt.
Zhang Jiajun, CEO von Apacer, sagte, wenn große Mainstream-Speicherhersteller im Jahr 2027 nur 30 % der traditionellen DRAM-Produktionskapazität entsprechend dem Vorjahr freigeben könnten, werde die Unterhaltungselektronikindustrie mit einer seltenen und riesigen Versorgungslücke konfrontiert sein. SK Hynix wies in seiner letzten Finanzberichtssitzung auch darauf hin, dass nicht nur die Nachfrage nach KI-Computing und HBM stark ist, sondern auch die Nachfrage nach Hochleistungs-Server-DRAM und NAND-Flash-Speicher mit hoher Kapazität, die zur Unterstützung von Agentic AI (intelligenter KI) verwendet werden, schnell zunimmt, was Standard-DRAM bei der Kapazitätszuweisung zu einem Wettbewerbsnachteil macht.
Angesichts der Situation, dass der traditionelle Aufbau von Produktionskapazitäten mit der explosionsartigen Nachfrageexplosion nicht Schritt halten kann, könnten kommerzielle Durchbrüche in der Speichertechnologie der neuen Generation das einzige Gegenmittel für den Markt für Unterhaltungselektronik sein. Derzeit beschleunigen Hersteller wie China Changxin Memory (CXMT) die kommerzielle Anwendung der 3D-DRAM-Technologie. Diese Technologie erhöht die Speicherdichte und -kapazität exponentiell, indem Speicherzellen vertikal gestapelt werden, wodurch die Notwendigkeit entfällt, sich vollständig auf extrem teure EUV-Lithographiemaschinen zu verlassen, um den horizontalen Prozess zu verkleinern. Wenn solche neuen Technologien wie geplant Durchbrüche bei der Produktionskapazität erzielen können, könnte dies eine kleine Erleichterung für den traditionellen Markt für Unterhaltungselektronik bringen, der durch die KI-Produktionskapazität unter Druck geraten ist.