Zusammenfassung:
Auf der World Manufacturing Conference 2026 in Hefei kündigte Changxin Technology offiziell die Massenproduktion der DRAM-Technologieplattform der fünften Generation (G5-Plattform) an, stellte gleichzeitig auf der Plattform basierende LPDDR5X-Produkte mit großer Kapazität aus und demonstrierte erstmals öffentlich massenproduzierten LPDDR6-Speicher.
Der zentrale Durchbruch der G5-Plattform liegt in der Prozessverkürzung. Diese Plattform basiert auf der Quadruple Patterning-Technologie, um den halben Abstand des aktiven Bereichs des Speicherarrays auf 11,95 Nanometer zu verkleinern, was dem weltweit führenden Massenproduktionsprozess für Speicher nahe kommt.
Als Referenz: Der derzeit fortschrittlichste DRAM-Knoten von Samsung ist 12 nm, und die 11,95 nm des Changxin G5 sind mit dem Massenproduktionsniveau von Samsung vergleichbar. Der Schlüssel liegt darin, dass dieser Durchbruch mithilfe von ArF-Immersions-DUV erreicht wurde, ohne auf EUV-Lithographiemaschinen angewiesen zu sein.
Zusätzlich zur Verkleinerung der Leitungsbreite hat die G5-Plattform auch das Seitenverhältnis des Speicherkondensators auf 45:1 verbessert, indem sie den Prozessablauf geändert und neue Materialien verwendet hat, und einen an den DRAM-Prozess angepassten Metall-Gate-Prozess mit hoher Dielektrizitätskonstante (HKMG) entwickelt, der die Höhe des Kernfunktionsbereichs auf 6762 Nanometer reduziert.
Die Speicherdichte wurde dadurch sprunghaft verbessert. Die Anzahl der pro Wafer produzierten Chips ist mindestens 50 % höher als bei der Plattform der vorherigen Generation, was erhebliche Vorteile bei der Energieeffizienz des Produkts und der Kostenkontrolle bietet. Luo Xiaodong, Vizepräsident von Changxin Technology, sagte:
Das Prozessniveau der G5-Plattform ist mit dem der besten Massenproduktionsknoten der Branche vergleichbar.
Die beiden ausgestellten LPDDR5X-Massenprodukte verfügen gleichzeitig über eine Einzelkapazität von 24 GB, was 50 % mehr ist als die vorherige Generation ähnlicher Produkte. Sie sind in 496Ball bzw. 245Ball verpackt. Sie eignen sich für Smartphones der mittleren bis oberen Preisklasse und tragbare Unterhaltungselektronik. Mittlerweile sind sie in der Phase der Massenproduktion im großen Maßstab angekommen.
Ein weiterer Schwerpunkt der Konferenz war der massenproduzierte LPDDR6. Changxin LPDDR6 kündigte am 29. August offiziell die Massenproduktion mit einer maximalen Übertragungsrate von 12800 Mbit/s, einer 60 %igen Steigerung der Bandbreite im Vergleich zu LPDDR5X, einer 20 %igen Reduzierung des Stromverbrauchs und einer maximalen Chipkapazität von 16 GB an.
Das erste Modell, das mit LPDDR6 ausgestattet ist, ist das faltbare Flaggschiff-Handy Xiaomi 18 Fold. Dies ist das erste Mal, dass LPDDR6-Produkte auf einem Flaggschiff-Mobiltelefon der Welt kommerzialisiert werden. Es ist außerdem das erste Mal, dass einem chinesischen Speicherunternehmen die weltweit erste Massenproduktion von High-End-Speicherstandards gelungen ist.
Darüber hinaus wurde auch
Nubian NaviX Ultra zum Verkauf angeboten, ein „Sitzsack-Telefon“, das mit Changxins höchster Geschwindigkeit 10667 Mbit/s LPDDR5X ausgestattet ist. Dies ist die erste Massenproduktionsanwendung eines inländischen Hochgeschwindigkeits-LPDDR5X-Chips mit 10667 Mbit/s.
Es sollte darauf hingewiesen werden, dass Changxin in der Ankündigung zugegeben hat, dass die G5-Plattform als brandneue Plattform noch eine gewisse Zeit benötigt, um die Ausbeute zu steigern. Produkte, die auf dieser Plattform basieren, haben noch keinen großen Absatz erzielt und werden kurzfristig keinen wesentlichen Einfluss auf die Betriebsleistung haben.
Aber die strategische Bedeutung der G5-Massenproduktion ist klar genug: Inländisches DRAM wandelt sich von einem „Verfolger“ zu einem „Konkurrenten“ in Bezug auf die fortschrittlichste Massenproduktionstechnologie.
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