Zusammenfassung:
Samsung Electronics entwickelt ein 8-Schicht-HBM4E-Produkt, das die Anforderungen von NVIDIA erfüllt, und strebt danach, eine Schlüsselrolle bei der Bereitstellung seines maßgeschneiderten NVHBM-Speichers mit hoher Bandbreite zu spielen. Das Produkt wird die Stapelhöhe gegenüber den ursprünglich geplanten 12- und 16-Schicht-Versionen reduzieren, und Nvidias Zielgeschwindigkeitsspezifikation liegt bei 17–18 Gbit/s, was etwa 20 % höher ist als die 14,4 Gbit/s-Geschwindigkeit des ursprünglichen HBM4E-Beispiels von Samsung.
Laut ChainCatcher-Berichten ist das 8-Schichten-Design speziell für NVIDIAs offenbartes NVLink-optimiertes NVHBM konzipiert. Dieser Schritt gilt als eine Möglichkeit, Herstellungsschwierigkeiten und Ertragsdruck zu verringern, und ist praktikabler als der herkömmliche Ansatz, die Kapazität durch eine Erhöhung der Anzahl der Stapelschichten zu erhöhen. Gleichzeitig wird dies auch als Teil von Nvidias Strategie zur Bewältigung der Speicherknappheit gesehen.
NVHBM wird voraussichtlich in NVIDIAs KI-GPU Rubin Ultra der nächsten Generation zum Einsatz kommen, der nächstes Jahr auf den Markt kommen soll. Bis dahin wird die Anzahl der Verbindungen zwischen GPUs von maximal 72 auf 576 erweitert. Branchenquellen zufolge hat Samsung bei der HBM4-Verifizierung das höchste Geschwindigkeitsniveau der Branche gezeigt und könnte im Geschwindigkeitswettbewerb einen Vorteil haben.
Auf dem kundenspezifischen HBM-Markt gilt Samsung als wettbewerbsfähiger als SK Hynix und Micron, da NVHBM sowohl DRAM- als auch Logikchip-basierte Basischip-Produktionskapazitäten erfordert und Samsung diese Fähigkeiten auf integrierte Weise bereitstellen kann.
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