Zusammenfassung:
CNBC veröffentlichte am Dienstag einen Artikel, der sich auf die technologischen Durchbrüche von Changxin Storage konzentrierte. In dem Artikel heißt es, dass Changxin Storage vielleicht nicht so bekannt sei, seine technologischen Durchbrüche jedoch dazu führten, dass die Aktien der globalen Speichergiganten insgesamt einbrachen.
Changxin-Speicher
CNBC sagte, dass Changxin Memory der Hauptkonkurrent der globalen Hersteller von Speicherchips sei. Zu den aktuellen Branchenriesen zählen Micron, SK Hynix und Samsung. Doch am vergangenen Wochenende gab Changxin Storage bekannt, dass es bei der Forschung und Entwicklung seiner neuen Architektur Fortschritte gemacht habe. Diese Architektur ermöglicht die Speicherung von mehr Daten auf weniger Platz und erhöht dadurch die Speicherdichte.
Am Dienstag fielen die Micron-Aktien um 3,62 %. Die Aktien von SK Hynix, das in Südkorea notiert ist, schlossen mit einem Minus von 10 % und Samsung Electronics fielen um 7,4 %. Auch andere Aktien im Zusammenhang mit Speicherchips gaben nach, darunter SanDisk, Seagate und Western Digital.
Neuer technologischer Durchbruch
CNBC sagte, dass Changxin Storage vor seinem Blockbuster-Börsengang in diesem Sommer außerhalb des chinesischen Marktes wenig bekannt war. Doch nach seiner Einführung im Juli dieses Jahres erregte es schnell weltweite Aufmerksamkeit. Der Aktienkurs des Unternehmens stieg am ersten Tag der Notierung am Shanghai Science and Technology Innovation Board um fast 466 % und es wurde zu dieser Zeit das Unternehmen mit dem höchsten Marktwert unter den börsennotierten chinesischen Unternehmen.
CNBC wies darauf hin, dass nach dem Börsengang von Changxin Memory eine der besorgniserregendsten Fragen auf dem Markt darin bestand, ob das Unternehmen die Technologielücke zu Micron, Samsung und SK Hynix schließen könne, insbesondere im Bereich des High-Bandwidth-Speichers (HBM), der eine Schlüsselkomponente von KI-Chipsystemen darstellt.
Micron-Aktien schlossen mit einem Minus von 3,62 %
Inländischen Medienberichten zufolge enthüllte Cao Kanyu, Präsident von Changxin Memory, jedoch auf der 4. Integrated Chip and Chip Conference am 10. Oktober einen neuen Fortschritt in der DRAM-Technologie. Cao Kanyu stellte die DRAM-Architektur namens 4F² vor und sagte, dass Changxin Memory voraussichtlich bis Ende des Jahres eine neue Generation von DDR5-RDIMM-Produkten auf den Markt bringen wird, die diese Technologie verwenden.
Cao Kanyu sagte, dass diese Architektur zu Innovationen bei DRAM-Speicherarray-Transistoren geführt habe. VSG-Transistoren (Vertical Surrounded Gate) verwenden eine vertikal umgebende Kanalstruktur, um eine stärkere Gate-Steuerung zu erreichen und die Schwachstellen von Leckagen und Kurzkanaleffekten zu beseitigen. Die vertikalen Transistoren tragen dazu bei, die Fläche zu verkleinern und die Speicherdichte zu erhöhen.
CNBC gab an, dass das neue Architekturdesign auf der „4F²“-Technologie basiert und eine höhere Speicherdichte erreichen kann. SK Hynix treibt auch das 4F²-Design voran und kündigte einen Fahrplan für die Entwicklung dieser Technologie im Jahr 2025 an.
Analysten gehen im Allgemeinen davon aus, dass Changxin Storage bei der Forschung und Entwicklung modernster Speichertechnologie hinter der globalen Konkurrenz zurückbleibt. Daher könnte jede Nachricht über seine technologischen Durchbrüche die Wahrnehmung der Anleger hinsichtlich der Marktvorteile seiner globalen Wettbewerber erheblich beeinflussen.
Marktanteilswachstum
Trotz der Herausforderungen der Exportkontrollen hat Changxin Storage erhebliche Fortschritte auf dem Markt erzielt.
Ein am vergangenen Donnerstag von HSBC veröffentlichter Bericht zeigte, dass der Anteil von Changxin Memory am weltweiten DRAM-Markt auf etwa 10 % gestiegen ist, gegenüber etwa 4 % vor einem Jahr.
Analysten der Citigroup sagten in einem Bericht im August: „Die US-Regierung wird den Verkauf von in China hergestellten Speicherchips in den Vereinigten Staaten wahrscheinlich nicht zulassen, aber Produkte, die an Rechenzentren in anderen Regionen wie Europa verkauft werden, könnten sich indirekt auf Micron auswirken.“
Apple hat damit begonnen, die DRAM-Chips von Changxin Memory für den Einsatz in in China verkauften Geräten zu testen, und hat sich bei der US-Regierung dafür eingesetzt, eine breitere Nutzung der Produkte des Unternehmens zu ermöglichen, berichtete die Financial Times im Juli unter Berufung auf mit der Angelegenheit vertraute Personen.
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