Intel hat heute ein Dokument herausgegeben, in dem eine Reihe technologischer Durchbrüche vorgestellt werden, die auf der IEDM2024 (IEEE International Electronic Devices Conference 2024) vorgestellt wurden.Im Hinblick auf neue Materialien kann die subtraktive Ruthenium-Verbindungstechnologie die Kapazität zwischen den Leitungen um bis zu 25 % reduzieren und so zur Verbesserung der Inter-Chip-Verbindung beitragen.
Intel Foundry ist außerdem das erste Unternehmen, das eine heterogene Integrationslösung für Advanced Packaging demonstriert, die den Durchsatz um das Hundertfache steigern und eine ultraschnelle Chip-zu-Chip-Montage ermöglichen kann.
Darüber hinaus demonstrierte Intel Foundry auch die siliziumbasierte Ribbion FETCMOS-Technologie (Complementary Metal Oxide Semiconductor) und Gateoxid-Module zur Verkleinerung von 2D-Feldeffekttransistoren (2DFETs) zur Verbesserung der Geräteleistung.
Auch im Hinblick auf die 300-mm-GaN-Technologie (Galliumnitrid) hat Intel Foundry die Forschung weiter vorangetrieben und branchenführende Hochleistungs-Miniatur-Anreicherungsmodus-GaNMOSHEMT (Metalloxid-Halbleiter-Transistor mit hoher Elektronenmobilität) hergestellt.
Es kann Anwendungen wie Leistungsgeräten und Hochfrequenzgeräten eine höhere Leistung verleihen, indem es Signalverluste reduziert, die Signallinearität verbessert und fortschrittliche Integrationslösungen auf Basis der Substratrückverarbeitung bietet.
Intel Foundry ist außerdem davon überzeugt, dass die folgenden drei zentralen Innovationsschwerpunkte dazu beitragen werden, dass sich die KI im nächsten Jahrzehnt in eine energieeffizientere Richtung entwickelt:
Erweiterte Speicherintegration zur Beseitigung von Kapazitäts-, Bandbreiten- und Latenzengpässen;
Hybrid-Bonding zur Optimierung der Verbindungsbandbreite;
Modulare Systeme und entsprechende Verbindungslösungen