Zusammenfassung:
Der chinesische Hersteller von DRAM-Speicherchips Changxin Memory (CXMT) gab bekannt, dass seine DRAM-Technologieplattform der fünften Generation offiziell in die Massenproduktionsphase eingetreten ist. Dieser Fortschritt gilt als wichtiger Meilenstein in der Entwicklung der chinesischen Speicherindustrie und bedeutet auch, dass Changxin Storage die Technologielücke zu weltweit führenden Herstellern wie Samsung Electronics, SK Hynix und Micron weiter verringert.
DRAM ist der zentrale Arbeitsspeicher, den elektronische Geräte wie Smartphones, PCs und Server zum Ausführen von Anwendungen benötigen. Da sich künstliche Intelligenz, Hochleistungsrechnen und die Leistung mobiler Endgeräte in den letzten Jahren weiter verbessert haben, ist die weltweite Marktnachfrage nach fortschrittlichen DRAM-Produkten weiter gestiegen.
Nach Angaben von Changxin Memory besteht das Ziel der Technologieplattform der fünften Generation darin, Speicherprodukte mit stärkerer Leistung und höherer Kapazität zu entwickeln und gleichzeitig den Stromverbrauch und die Produktionskosten zu senken. Das Unternehmen gab an, dass die neue Plattform den Herstellern elektronischer Endgeräte mehr Lieferquellen für Speicherchips bieten und die Lieferflexibilität der Industriekette erhöhen werde.
Als Chinas größter DRAM-Hersteller konzentriert sich Changxin Memory dieses Mal auf die Erhöhung der Dichte von Speicherzellen. Durch die weitere Verkleinerung der winzigen Strukturen, die für die Datenspeicherung verantwortlich sind, und die Erhöhung des Integrationsgrads kann die neue Plattform mehr Speicherzellen auf derselben Fläche unterbringen und die Anzahl der Chips erhöhen, die aus einem einzelnen Wafer geschnitten werden können, wodurch die Gesamtleistungseffizienz verbessert wird.
Changxin Storage gab bekannt, dass die neue Plattform den entscheidenden Strukturabstand des Speicherarrays auf 11,95 Nanometer reduziert hat, was etwa 12 Milliardstel Metern entspricht. Um dieses Ziel zu erreichen, nutzt das Unternehmen einen Vierfach-Strukturierungsprozess, der traditionelle Prozessbeschränkungen durchbricht, indem er wiederholt mehrere Herstellungsschritte durchführt, um verfeinerte Schaltkreisstrukturen zu bilden.
Während der World Manufacturing Conference 2026 in Hefei, Anhui, sagte Luo Xiaodong, Leiter des Changxin Storage Market Center, dass die Prozessfähigkeiten des Unternehmens das gleiche Niveau erreicht haben wie die weltweit fortschrittlichsten massenproduzierten Speicherplattformen.
Mit der Massenproduktion der neuen Plattform brachte Changxin Memory auch zwei mobile 24-GB-LPDDR5X-Speicherchips auf Basis der Plattform der fünften Generation auf den Markt. LPDDR5X ist ein DRAM-Standard mit geringem Stromverbrauch, der hauptsächlich in mobilen Geräten wie Smartphones und Tablets verwendet wird.
Die Kapazität des neuen Produkts ist 50 % höher als die der vorherigen Generation ähnlicher Produkte und es ist in die Massenproduktionsphase eingetreten. Je nach Endproduktbedarf bieten die beiden Produkte unterschiedliche Verpackungsformen, die für das Design von Smartphones und verschiedenen tragbaren elektronischen Geräten geeignet sind.
Die neue Plattform erhöht nicht nur die Kapazität eines einzelnen Chips, sondern verbessert auch die Fertigungseffizienz deutlich. Changxin Memory gab an, dass bei der Verwendung von 8-GB-Produkten als Vergleichsmaßstab die Anzahl der Chips, die die Plattform der fünften Generation pro Wafer produzieren kann, mindestens 50 % höher ist als die der Plattform der vierten Generation.
Dieser Indikator stellt nicht die Endausbeute dar, sondern bezieht sich auf die Gesamtzahl der Chips, die theoretisch aus einem einzelnen Wafer herausgeschnitten werden können, bevor defekte Chips eliminiert werden. Für die Speicherindustrie ist die Verbesserung der Waferauslastung jedoch immer noch ein wichtiger Weg, um Kosten zu senken und die Wettbewerbsfähigkeit zu steigern.
Das Unternehmen gab außerdem bekannt, dass im Entwicklungsprozess der Plattform der fünften Generation in großem Umfang Computersimulationstechnologie eingesetzt wurde und eine gemeinsame Entwicklung mit lokalen chinesischen Halbleiterausrüstungsherstellern in wichtigen Produktionsverbindungen durchgeführt wurde. Eine entsprechende Zusammenarbeit hat Changxin Storage dabei geholfen, schrittweise ein umfassenderes inländisches Lieferkettensystem aufzubauen und seine Abhängigkeit von externer Technologie zu verringern.
Diese technologische Entwicklung erfolgt auch zu einer Zeit, in der sich der Wettbewerb in der globalen Speicherbranche weiter verschärft. Mit der rasanten Expansion der Branche der künstlichen Intelligenz ist die Nachfrage nach Hochleistungsspeichern explodiert und große globale Speicherhersteller haben ihre Investitionen in fortschrittliche DRAM- und HBM-Produkte erhöht.
Für China bedeutet der Einstieg in die Massenproduktion der Plattform der fünften Generation von Changxin Storage nicht nur eine weitere Verbesserung der technischen Fähigkeiten, sondern zeigt auch, dass sich die lokale Speicherindustrie weiterhin in Richtung fortschrittlicherer Prozessknoten bewegt. In Zukunft wird erwartet, dass sich der Wettbewerb zwischen Changxin Storage und führenden internationalen Herstellern weiter verschärft, da mobile Speicherprodukte der neuen Generation schrittweise auf den Markt kommen.
Vor dem Hintergrund der sich ständig verändernden Landschaft der globalen Speicherindustrie gilt die offizielle Massenproduktion der DRAM-Plattform der fünften Generation als ein weiterer wichtiger Knotenpunkt in der Entwicklung von Changxin Memory. Darüber hinaus bietet es der chinesischen Halbleiterindustrie neue Möglichkeiten, ihre unabhängigen Lieferfähigkeiten zu verbessern.
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