Zusammenfassung:
Laut „The Information“-Bericht hat der chinesische Speicherriese Changxin Memory (CXMT) mit der Kleinserienproduktion von HBM3E-Speicher begonnen. Damit liegen chinesische Speicherhersteller immer noch etwa zwei Generationen hinter koreanischen Unternehmen, die nach und nach auf die HBM4E-Produktion umsteigen. Dies ist jedoch immer noch ein wichtiger Meilenstein für Changxin Storage.
CX Memory wird voraussichtlich bis Ende dieses Jahres eine Produktionskapazität von etwa 350.000 DRAM-Wafern pro Monat erreichen und plant, die Produktionskapazität in den nächsten Jahren weiter auszubauen. Derzeit ist der Produktionsumfang von HBM3E noch sehr begrenzt, was darauf hindeutet, dass die entsprechende Fertigung gerade in die Phase der Risikoversuchsproduktion eingetreten ist.
Obwohl Changxin Memory die spezifischen Spezifikationen seines HBM3E-Speichers nicht bekannt gegeben hat, sollte das Produkt gemäß dem JEDEC-Standard eine Bitbreite von 1024 Bit und eine Single-Pin-Übertragungsrate zwischen 9,2 Gbit/s und 12,4 Gbit/s verwenden. Die Zielrate für die meisten Standardkonfigurationen beträgt 9,6 Gbit/s. Die Gesamtbandbreite beträgt etwa 1,2 TB/s und die Kapazität kann je nach Stacking-Methode variieren: 24 GB bei Verwendung von 8-Layer-Stacking und 36 GB bei Verwendung von 12-Layer-Stacking, beide basierend auf einem einschichtigen 24-Gb-DRAM-Chip.
Angesichts des schnellen Fortschritts von Changxin Memory von der Risikoversuchsproduktion zur Massenproduktion könnte sein HBM3E-Produkt in nur wenigen Wochen in die Großserienproduktionsphase eintreten.
Darüber hinaus verfügt Changxin Storage über eine herausragende Leistung bei der Geschwindigkeit des Reinraumbaus. Der Reinraum für die Waferfabrik kann in nur etwa 12 Monaten gebaut werden, während andere Hersteller normalerweise etwa zwei Jahre brauchen. Derzeit betreibt Changxin Memory mehrere Produktionsanlagen, darunter zwei 12-Zoll-Waferfabriken in Hefei und Peking, jeweils mit einer monatlichen Produktionskapazität von etwa 100.000 Wafern. Daher beträgt die aktuelle Gesamtproduktionskapazität des Unternehmens etwa 200.000 Wafer pro Monat.
Da die entsprechenden Fabriken in Shanghai und Hefei fertiggestellt und in Betrieb genommen werden, plant Changxin Memory, seine monatliche Produktionskapazität auf etwa 600.000 Stück zu erhöhen, was dem Dreifachen des aktuellen Niveaus entspricht. Es ist jedoch unklar, wie viel dieser Kapazität für die Produktion von HBM-Speicher verwendet wird.
Da die Produktion eines HBM-Speicherstapels die Verwendung mehrerer DRAM-Chips erfordert, wird sich die Versorgungssituation bei gewöhnlichem DRAM-Speicher möglicherweise nicht wesentlich verbessern, wenn die Nachfrage nach HBM weiter wächst und Changxin Memory mehr Ressourcen in die HBM-Produktion investiert.
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