Zusammenfassung:
Da die Nachfrage nach fortschrittlichem Speicher für künstliche Intelligenz, Hochleistungsrechnen und mobile Geräte der nächsten Generation weiter wächst, beschleunigt der südkoreanische Speicherchip-Riese SK Hynix seine Umstellung auf den 1c-DRAM-Prozess der neuesten Generation. Die neuesten Branchennachrichten zeigen, dass das Unternehmen seine Produktionskapazitätsstruktur in großem Umfang anpasst und plant, immer mehr DRAM-Produkte auf die 10-Nanometer-1c-Prozessknotenproduktion der sechsten Generation zu migrieren, und es wird erwartet, dass es in den nächsten Quartalen die beherrschende Stellung dieses Prozesses etablieren wird.
Daten zeigen, dass 1c-DRAM im ersten Quartal 2026 nur etwa 10 % der gesamten DRAM-Produktion von SK Hynix ausmachte; im zweiten Quartal stieg sie auf rund 13 %. Mit Beginn des dritten Quartals soll dieser Anteil deutlich auf 24 % steigen und bis zum vierten Quartal werden mehr als ein Drittel der DRAM-Produkte im 1c-Verfahren hergestellt, was etwa 34 % entspricht. Nach dem aktuellen Plan wird der Anteil des 1c-Prozesses bis zum ersten Quartal 2027 weiter auf etwa 35 % steigen und damit erstmals den Anteil des aktuellen Hauptprozesses des 1b-Knotens von etwa 33 % überschreiten und zur wichtigsten DRAM-Produktionsplattform von SK Hynix werden.
Brancheninsider wiesen darauf hin, dass DRAM-Prozessknoten und Logikchip-Herstellungsprozesse nicht einfach übereinstimmen können. Speicherhersteller unterscheiden verschiedene Generationen der 10-Nanometer-DRAM-Technologie normalerweise nach „1a, 1b, 1c“ und anderen Methoden. Die Hauptunterschiede spiegeln sich in der Transistordichte, der Anzahl der EUV-Lithographieschichten und der Gesamtkomplexität der Herstellung wider. Die tatsächliche Designgröße des derzeit weit verbreiteten 1b-Prozesses von SK Hynix beträgt etwa 12 bis 13 Nanometer und nutzt etwa 4 Schichten der EUV-Lithographietechnologie; während der neuere 1c-Prozess weiter auf etwa 11 bis 12 Nanometer reduziert wird, während 5 bis 6 Schichten der EUV-Lithographietechnologie verwendet werden, um eine höhere Dichte und eine bessere Energieeffizienz zu erreichen.
Dem Plan zufolge wird der 1c-Prozess in Zukunft die Produktion vieler Schlüsselprodukte von SK Hynix übernehmen, darunter HBM4E-Speicher mit hoher Bandbreite für den Markt für künstliche Intelligenz, LPDDR6-Mobilspeicher der neuen Generation sowie DDR5-Server- und Desktop-Speicherprodukte. Der aktuelle Hauptprozess 1b wird hauptsächlich in Produkten wie DDR5, LPDDR5X, HBM3E und HBM4 verwendet.
Aus Sicht des industriellen Wettbewerbs fördern Samsung Electronics und Micron ebenfalls die Transformation von 1c-Prozessen, aber SK Hynix verringert den Rückstand rasch und wird voraussichtlich aufholen. Derzeit stammen etwa 16 % der DRAM-Produktion von Samsung aus dem 1c-Prozess und die von Micron etwa 19 %, was beides höher ist als die 13 %-Quote von SK Hynix im zweiten Quartal. Aufgrund der raschen Umstellung der Produktionskapazitäten in der zweiten Jahreshälfte wird jedoch erwartet, dass SK Hynix im vierten Quartal überholen und einer der Hersteller mit der größten 1c-DRAM-Produktionskapazität weltweit werden wird.
Analysten glauben, dass einer der wichtigen Gründe, warum SK Hynix den 1c-Prozess aktiv fördert, darin besteht, dass sein führender Vorteil auf dem Markt für Speicher mit hoher Bandbreite weiter wächst. Da die Nachfrage nach KI-Servern explodiert, hat sich HBM zu einem der wichtigsten High-Profit-Produkte entwickelt, und der 1c-Prozess wird eine wichtige technische Grundlage für die nächste Generation von HBM4E werden. Durch den vorzeitigen Abschluss der Einführung fortschrittlicher Prozesse hofft das Unternehmen, seine Wettbewerbsposition im KI-Speichermarkt weiter zu festigen.
Da die DRAM-Schrumpfung jedoch weiter voranschreitet, steht die Branche auch vor neuen technischen Herausforderungen. Die herkömmliche planare 6F²-Speicherzellenstruktur gerät immer näher an die physikalische Grenze, und die Schwierigkeit und die Kosten, die Größe weiter zu reduzieren, steigen. Daher haben Speicherhersteller, darunter SK Hynix, mit der Forschung an der 4F²-Vertikal-Gate-Transistor-Architektur der nächsten Generation und der 3D-DRAM-Stacking-Technologie begonnen, in der Hoffnung, die bestehenden technischen Engpässe durch neue Strukturdesigns zu überwinden.
Obwohl sich die Architektur der nächsten Generation noch im Forschungs- und Entwicklungsstadium befindet, geht die Branche allgemein davon aus, dass der 1c-Prozess auch in den nächsten Jahren eine zentrale Rolle spielen wird. Für SK Hynix ist dies nicht nur ein routinemäßiges Prozess-Upgrade, sondern auch ein wichtiger strategischer Wendepunkt im Wettbewerb um Hochleistungsspeicher im KI-Zeitalter.
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