Brancheninsidern zufolge hat Samsung Electronics, der weltweit größte Hersteller von Speicherchips, in den USA ein neues Forschungslabor eingerichtet, um eine neue Generation von 3DDRAM zu entwickeln. Das Labor ist mit Device Solutions America (DSA) verbunden, das seinen Hauptsitz im Silicon Valley hat und für die Halbleiterproduktion von Samsung in den USA verantwortlich ist. Es wird sich der Entwicklung verbesserter DRAM-Modelle widmen, um Samsung in die Lage zu versetzen, den weltweiten Markt für 3D-Speicherchips anzuführen.
Im Oktober letzten Jahres gab Samsung Electronics bekannt, dass es eine neue 3D-Struktur für DRAMs unter 10 Nanometern vorbereitet, die eine größere Einzelchipkapazität von über 100 Gigabit ermöglicht.
Samsung Electronics hat 2013 zum ersten Mal in der Branche erfolgreich vertikale 3D-NAND-Flash-Speicher kommerzialisiert.