Ferroelectric Memory Co. (FMC) und Neumonda haben eine Partnerschaft mit der Hoffnung geschlossen, „DRAM+“ zu kommerzialisieren, eine ferroelektrische (FeRAM) Speicherarchitektur, die die Geschwindigkeit von DRAM mit nichtflüchtiger Datenspeicherung kombiniert.

Die Technologie ersetzt herkömmliche Kondensatoren durch Elemente aus ferroelektrischem Hafniumoxid (HfO₂) und ermöglicht so eine langlebige Speicherung ohne Strombedarf bei gleichzeitiger Beibehaltung von Zugriffszeiten im Nanosekundenbereich. Diese Hybridtechnologie schließt die Leistungslücke zwischen Hochgeschwindigkeits-DRAM und Speicher der Speicherklasse wie NAND-Flash.

Im Gegensatz zu den früheren DRAM-Joint-Ventures von Infineon und Qimonda in Europa, die die wirtschaftlichen Anforderungen von Massenspeichern nicht erfüllten, konzentriert sich FMC auf professionelle Anwendungen, die Wert auf Langlebigkeit und Energieeffizienz legen. Der auf HfO₂ basierende Ansatz beseitigt die Einschränkungen früherer FeRAM-Speicherimplementierungen mit Bleizirkonat-Titanat (PZT), die nicht in der Lage waren, eine Kapazität über Megabyte hinaus zu skalieren.

Prototypen weisen nun Dichten im Gigabit-Bereich auf, die mit Sub-10-nm-Fertigungsprozessen für herkömmliche DRAMs von Micron, Samsung, SK Hynix und anderen kompatibel sind. Durch die Eliminierung von Aktualisierungszyklen reduziert DRAM+ den statischen Stromverbrauch im Vergleich zu herkömmlichen DRAM-Zellen mit einem Transistor und einem Kondensator erheblich. Zu den wichtigsten Anwendungen gehören KI-Beschleuniger, die dauerhafte Modellgewichte erfordern, Automobil-ECUs mit Instant-On-Anforderungen und medizinische Implantate mit eingeschränkter Leistung.

Neumonda wird seine Suite von Testplattformen Rhinoe, Octopus und Raptor für die elektrische Charakterisierung und Analyse zu geringeren Kapitalkosten als Standard-Halbleitertestgeräte einbringen. Der Produktionsplan für kommerzielle DRAM+-Produkte wurde noch nicht bekannt gegeben.