SKhynix bestätigte in einem Blogbeitrag, dass es im Jahr 2024 mit der Entwicklung der nächsten Generation des HBM4-Speichers mit hoher Bandbreite beginnen wird. Bisher haben wir gesehen, dass Micron und Samsung ihre HBM4-Speicherprodukte der nächsten Generation auflisten und diese Entwicklung ebenfalls bestätigen. Beide Unternehmen haben Veröffentlichungszeiträume um 2025 bis 2026 angegeben. Laut der neuesten Bestätigung von SKhynix hat das Unternehmen außerdem Pläne angekündigt, im Jahr 2024 mit der Produktion von Speicher mit hoher Bandbreite der nächsten Generation zu beginnen.
Als er über HBM-Produkte sprach, betonte Senior Manager Kim Wang-soo, dass das Unternehmen im Jahr 2024 seine eigene HBM3E-Lösung in Serie produzieren wird, bei der es sich um eine erweiterte Variante des bestehenden HBM3-Speichers handelt. Der neue Speicher bietet höhere Geschwindigkeit und Kapazität. Doch im selben Jahr plant SKhynix auch, mit der Entwicklung des HBM4-Speichers zu beginnen, was einen wichtigen Schritt in der Weiterentwicklung des HBM-Produktstapels darstellen wird.
Der Wettbewerbsvorteil wird auch im nächsten Jahr bestehen bleiben. Kim Wang-soo, Leiter des GSM-Teams, sagte: „Mit der für nächstes Jahr geplanten Massenproduktion und dem Verkauf von HBM3E werden unsere Marktvorteile erneut maximiert. Da auch die Entwicklungsarbeiten für das Nachfolgeprodukt HBM4 in vollem Gange sein werden, wird das HBM von SKHynix nächstes Jahr in eine neue Phase eintreten. Das wird für uns ein Jahr, das es wert ist, gefeiert zu werden.“
Da die Entwicklung für 2024 geplant ist, können wir damit rechnen, dass tatsächliche Produkte mit diesem Speichermodul bis Ende 2025 oder 2026 verfügbar sein werden. Eine kürzlich von Trendforce veröffentlichte Roadmap sagt voraus, dass die ersten HBM4-Muster über eine Kapazität von 36 GB pro Stapel verfügen werden. Die vollständigen Spezifikationen werden von JEDEC voraussichtlich in der zweiten Jahreshälfte 2024–2025 veröffentlicht. Erste Kundenmuster und Verfügbarkeit werden für 2026 erwartet, es bleibt also noch viel Zeit, bis wir die neue Speicherlösung mit hoher Bandbreite in Aktion sehen.
Mit einem 36-GB-Stack ist das Produkt mit 288-GB-Kapazitäten erhältlich, höhere Kapazitäten sind geplant. Die maximale Geschwindigkeit des HBM3E-Speichers hat 9,8 Gbit/s erreicht, sodass wir davon ausgehen können, dass HBM4 als erster die zweistellige Marke über 10 Gbit/s durchbricht. Bei den Produkten wird erwartet, dass NVIDIAs Blackwell HBM3E-Speichermodule verwendet, es wird also der Nachfolger von Blackwell (möglicherweise benannt nach Vera Rubin) oder sein Upgrade sein, wie der Hopper H200 (HBM3E), der als erster HBM4 verwendet.