Zusammenfassung:
Chinas Speicherchip-Industrie verringert den technologischen Abstand zu den weltweit führenden Herstellern in beispiellosem Tempo. Laut der neuesten Einschätzung der Korea Semiconductor Industry Association haben Chinas zwei große Speicherunternehmen, Yangtze River Memory (YMTC) und Changxin Memory (CXMT), in wichtigen Technologiebereichen deutlich aufgeholt. Unter anderem hat sich die Technologielücke im NAND-Flash-Speicherbereich auf etwa 1 Jahr verringert, im DRAM-Bereich beträgt sie etwa 2 Jahre und die Lücke im Bereich des High-Bandwidth-Speichers (HBM) beträgt etwa 3 Jahre.
Dieses Bewertungsergebnis hat in der koreanischen Halbleiterindustrie große Aufmerksamkeit erregt. Es ist erwähnenswert, dass die Branche noch vor wenigen Jahren allgemein davon ausging, dass zwischen der chinesischen Speicherindustrie und dem internationalen Spitzenniveau noch eine Technologiegenerationslücke von fast fünf Jahren bestehe. Heute hat sich dieser Abstand in mehreren Segmenten erheblich verringert, was zeigt, dass die Entwicklungsgeschwindigkeit der chinesischen Speicherindustrie in den letzten Jahren die Markterwartungen bei weitem übertroffen hat.
Im Bereich NAND-Flash-Speicher gilt Yangtze Memory als der offensichtlichste Fortschritt. Als größter NAND-Hersteller in China hat das Unternehmen in den letzten Jahren die Forschung und Entwicklung hochwertiger digitaler 3D-NAND-Technologie weiter vorangetrieben. Branchendaten zeigen, dass Yangtze Memory bereits über die Produktionskapazität von 270-Schicht-Produkten verfügt, wenn Samsung Electronics und SK Hynix im Jahr 2025 mit der Massenproduktion von 300-Schicht-NAND-Produkten beginnen. Gemäß der aktuellen Entwicklungsroute wird Yangtze Memory voraussichtlich im Jahr 2027 400-Level-NAND-Produkte fördern, was bedeutet, dass der Zeitunterschied zwischen ihm und international führenden Unternehmen weiter auf etwa ein Jahr verkürzt wird.
Auch die Entwicklung im DRAM-Bereich sorgt für Aufsehen. Die koreanischen Unternehmen Samsung Electronics und SK Hynix werden 2023 mit der Massenproduktion von DDR5-Produkten beginnen, während Changxin Memory im Jahr 2025 in die DDR5-Ära eintreten wird, sodass davon ausgegangen wird, dass ein Technologierückstand von etwa zwei Jahren zum international führenden Niveau bestehen bleibt. Allerdings hat Changxin Memory seine Produktiteration in den letzten Jahren deutlich beschleunigt. Das Unternehmen hat nicht nur die Massenproduktion von LPDDR5X erreicht, sondern auch damit begonnen, die Produktion von LPDDR6-Produkten zu fördern, um seine Wettbewerbsfähigkeit auf dem Markt weiter zu verbessern.
Im Vergleich zu NAND und herkömmlichem DRAM gilt HBM für Speicher mit hoher Bandbreite immer noch als das anspruchsvollste technische Feld in Chinas Speicherindustrie. Aktuelle Brancheneinschätzungen gehen davon aus, dass zwischen Chinas HBM-Technologie und dem internationalen Spitzenniveau noch eine Lücke von etwa drei Jahren besteht. Obwohl Changxin Memory mit der Testproduktion von HBM3E-Produkten begonnen hat, ist die Ausbeute immer noch auf einem niedrigen Niveau, insbesondere bei Kernfertigungsverbindungen wie TSV durch Silizium über vertikale Verbindungen, die immer noch mit offensichtlichen technischen Herausforderungen konfrontiert sind.
Um die HBM-Forschung und -Entwicklung zu beschleunigen, probieren chinesische Speicherunternehmen innovativere Technologiewege aus. In dem Bericht wurde darauf hingewiesen, dass Changxin Storage mit Yangtze Storage zusammenarbeitet, um HBM-Produkte unter Verwendung der ausgereiften Xtacking-Hybrid-Bonding-Technologie von Yangtze Storage herzustellen. Anders als bei der herkömmlichen Methode zur Verbindung von Speicherchips über Mikro-Bumps kann diese Kupfer-Kupfer-Hybrid-Bonding-Technologie verschiedene Waferschichten direkt verbinden, den Schaltungspfad verkürzen, die Stapeleffizienz verbessern und soll die Abhängigkeit von fortschrittlichen EUV-Lithographiegeräten bis zu einem gewissen Grad verringern.
Analysten glauben, dass sich die Fortschritte chinesischer Speicherunternehmen in den letzten Jahren nicht nur in der Verifizierungsphase der Labortechnologie widerspiegeln, sondern auch in den Möglichkeiten zur Massenproduktion und Industrialisierung von Produkten. Mit der Ausweitung der Produktionskapazität, der Anhäufung von Talenten und der schrittweisen Verbesserung des lokalen Ausrüstungsunterstützungssystems wandelt sich Chinas Lagerindustrie allmählich von einem bloßen Fänger in der Vergangenheit zu einem wichtigen Marktteilnehmer mit internationaler Wettbewerbsfähigkeit.
Für die koreanische Speicherindustrie ist diese Änderung ebenfalls von großer Bedeutung. Samsung Electronics und SK Hynix nehmen seit langem eine führende Position auf dem globalen Speichermarkt ein, aber da chinesische Unternehmen ihre Lücke weiter verringern, wird erwartet, dass sich der Marktwettbewerb in Zukunft weiter verschärfen wird.
Obwohl chinesische Unternehmen bei fortschrittlichen HBM-Produkten und einigen High-End-Prozessen immer noch hinter international führenden Herstellern zurückbleiben, sind Branchenbeobachter allgemein davon überzeugt, dass Yangtze Memory und Changxin Memory in den letzten Jahren schneller aufgeholt haben, als viele erwartet hatten. Wenn sich der aktuelle Entwicklungstrend fortsetzt, könnte die globale Speicherindustrielandschaft in den nächsten Jahren neue Veränderungen einleiten.
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