Zusammenfassung:
Chinas größter Hersteller von DRAM-Speicherchips, Changxin Memory (CXMT), sieht sich im dritten Quartal 2026 einem Marktanteilswachstumsdruck ausgesetzt. Da Samsung Electronics seine Produktionskapazität für Speicherchips weiter ausbaut und sich der globale Speichermarkt allmählich in Richtung Speicher mit hoher Bandbreite (HBM) verlagert, sank der DRAM-Marktanteil von CX Memory von 10 % im zweiten Quartal auf 9 %. Im Vergleich zum Vorjahreszeitraum stieg der Marktanteil jedoch immer noch um 4 Prozentpunkte, was zeigt, dass sich das Unternehmen immer noch in der Phase der schnellen Expansion befindet.
Diese Daten stammen vom Marktforschungsunternehmen Counterpoint Research. Dem jüngsten Bericht zufolge hat sich die Wettbewerbslandschaft des globalen DRAM-Marktes im dritten Quartal 2026 erheblich verändert: Samsung Electronics baute seinen Vorsprung mit einem Umsatzanteil von 38 % erneut aus, auf SK Hynix entfielen 29 % und auf Changxin Memory 9 %.
Im Vergleich zum zweiten Quartal stieg der Marktanteil von Samsung um 5 Prozentpunkte, während SK Hynix um 4 Prozentpunkte zurückging. Changxin Storage ging leicht von 10 % auf 9 % zurück.
Diese Änderung steht im Zusammenhang mit der strukturellen Anpassung, die auf dem globalen Speichermarkt stattfindet. Der Aufbau einer Infrastruktur für künstliche Intelligenz treibt weiterhin das Wachstum der HBM-Nachfrage voran, und große Hersteller wie Samsung und SK Hynix passen die Produktionsressourcen aktiv an, um den Anforderungen der neuen Generation von Speicher mit hoher Bandbreite gerecht zu werden. Gleichzeitig steigen auch die Preise für traditionelle DRAM-Produkte rapide, sodass die Umsatzentwicklung der einzelnen Hersteller nicht mehr ausschließlich von den tatsächlichen Lieferungen abhängt.
Counterpoint-Daten zeigen, dass im dritten Quartal 2026 der weltweite Umsatz der DRAM-Branche im Jahresvergleich fast um das Fünffache gestiegen ist, die Lieferungen von DRAM-Bits jedoch nur um etwa 4 % gestiegen sind. Dies bedeutet, dass der Hauptfaktor für das starke Wachstum des Marktumsatzes nicht der Anstieg der Auslieferungen ist, sondern der starke Anstieg des durchschnittlichen Verkaufspreises von Speicherchips.
Der Bericht zeigt, dass der durchschnittliche Verkaufspreis von DRAM im dritten Quartal 1,9 US-Dollar pro Gigabit erreichte. Vor dem Hintergrund eines relativ knappen Angebots und einer weiterhin wachsenden Nachfrage nach Servern mit künstlicher Intelligenz verändern steigende Preise für Speicherchips die Umsatzstruktur der Branche erheblich.
Changxin Storage hatte zuvor eine sehr starke Wachstumsdynamik gezeigt. Counterpoint wies in seinem Bericht zum zweiten Quartal darauf hin, dass der Quartalsumsatz des Unternehmens im Jahresvergleich um 716 % gestiegen sei, was es zu einem der am schnellsten wachsenden DRAM-Hersteller der Welt mache. Sein weltweiter DRAM-Umsatzanteil erreichte damals 7 %, während Samsungs Marktanteil im August 2026 etwa 39 % betrug.
Die Nachfrage lokaler chinesischer Unternehmen nach inländischem DRAM ist eine wichtige Triebkraft für das schnelle Wachstum von Changxin Memory. Da chinesische Server-, Personalcomputer- und Smartphone-Hersteller ihre inländischen Speicherkäufe steigern, hat Changxin Storage mehr Marktchancen gewonnen.
Counterpoint hat jedoch zuvor darauf hingewiesen, dass es nicht ausreicht, sich ausschließlich auf die Inlandsnachfrage Chinas zu verlassen, wenn Changxin Storage hofft, die aktuelle Wachstumsrate aufrechtzuerhalten. Darüber hinaus müssen die Produktionskapazitäten weiter ausgebaut und die Produktdurchdringung auf in- und ausländischen Märkten erhöht werden.
Eine wichtige Herausforderung für Changxin Storage ist derzeit die Geschwindigkeit der Kapazitätserweiterung. Im Vergleich zu Samsung und SK Hynix ist der Gesamtproduktionsumfang immer noch kleiner und der globale DRAM-Markt tritt in eine neue Runde des Nachfragewachstumszyklus ein, der durch künstliche Intelligenz angetrieben wird. Große Hersteller können die Marktnachfrage nach HBM und Serverspeicher mit höheren Gewinnspannen decken, indem sie ihre Produktionslinien und Produktstrukturen anpassen.
Es ist erwähnenswert, dass die Entwicklung der künstlichen Intelligenz nicht nur die Nachfrage nach HBM erhöht, sondern auch den traditionellen DRAM-Markt wieder fördert.
Da KI-Agenten (Agentic AI) nach und nach komplexere Aufgaben übernehmen, nimmt die Abhängigkeit des Serversystems von der CPU wieder zu. Im Gegensatz zu frühen KI-Infrastrukturen, die hauptsächlich auf GPUs für paralleles Computing im großen Maßstab beruhten, erfordern KI-Agenten, die autonom planen, Tools aufrufen und mehrstufige Aufgaben ausführen können, dass die CPU mehr Planungs-, Datenverarbeitungs- und Systemverwaltungsarbeit übernimmt.
Gleichzeitig verändert sich auch das Verhältnis von GPUs zu CPUs in Serverkonfigurationen. Dieses Verhältnis ist inzwischen auf etwa 2:1 geschrumpft. Chen Liwu, CEO von Intel, sagte zuvor bei der Telefonkonferenz zu den Ergebnissen des zweiten Quartals, dass dieses Verhältnis in der Vergangenheit 8:1 erreicht habe und später auf 4:1 gesunken sei.
Die Änderung des Verhältnisses von GPU zu CPU bedeutet, dass zukünftige KI-Rechenzentren möglicherweise nicht nur mehr HBM benötigen, sondern auch die DRAM-Kapazität herkömmlicher Server erhöhen müssen, um die Anforderungen an CPU, Systembetrieb und Datenverarbeitung zu erfüllen.
Dies ist für die gesamte DRAM-Branche von großer Bedeutung. Obwohl HBM eine höhere technische Schwelle und einen höheren Produktwert aufweist, ist herkömmliches DRAM immer noch eine unverzichtbare Grundspeicherkomponente für Server, Personalcomputer und Geräte der Unterhaltungselektronik. Der Ausbau der KI-Infrastruktur wirkt sich gleichzeitig auf beide Märkte aus.
Für Changxin Storage bringt das aktuelle Marktumfeld nicht nur Chancen mit sich, sondern erhöht auch den Wettbewerbsdruck. Einerseits wird der Anstieg der traditionellen DRAM-Preise dazu beitragen, das Unternehmenseinkommen und die Rentabilität zu verbessern; Andererseits erweitern große Hersteller wie Samsung ihre Produktionskapazitäten, was möglicherweise auch den Marktanteil anderer Hersteller schmälert.
Es ist besonders wichtig zu beachten, dass der Rückgang des Marktanteils von 10 % auf 9 % keinen absoluten Rückgang des Umsatzes oder der tatsächlichen Lieferungen von Changxin Storage bedeutet. Da sich die Größe des globalen DRAM-Marktes, die Produktpreise und die Umsatzstruktur der Hersteller schnell ändern, können Änderungen des Umsatzanteils in einem einzelnen Quartal nicht direkt mit Änderungen der Produktionskapazität oder der technologischen Wettbewerbsfähigkeit gleichgesetzt werden.
Aus einer längerfristigen Perspektive hängt die Frage, ob Changxin Memory in die erste Stufe des globalen DRAM-Marktes vordringen kann, immer noch von fortschrittlicher Prozessforschung und -entwicklung, Produktionsausbeute, Produktionskapazität und Produktlayout mit hoher Wertschöpfung ab. Da die Nachfrage nach Servern mit künstlicher Intelligenz weiter wächst, wird HBM zu einem wichtigen Wettbewerbsbereich für globale Speicherhersteller, und der traditionelle DRAM-Markt wird weiterhin durch den Ausbau der KI-Infrastruktur vorangetrieben.
Derzeit liegt der weltweite Marktanteil von Changxin Memory noch deutlich unter dem von Samsung und SK Hynix, im Vergleich zum Vorjahreszeitraum konnte jedoch eine deutliche Verbesserung erzielt werden. Da sich die globalen Speicherpreise, die HBM-Kapazitätszuteilung und Chinas lokale Beschaffungsbedürfnisse in den nächsten Quartalen weiter ändern, wird es zu neuen Anpassungen im Marktanteilswettbewerb zwischen den drei Herstellern kommen.
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